本发明专利技术公开了一种阵列基板，涉及显示技术领域，该阵列基板包括若干栅线、数据线及所述栅线和数据线之间形成的若干像素单元，所述阵列基板的每个像素单元中，与成盒后黑矩阵对应区域的各膜层之一上设置有标识所述像素单元坐标的标志。本发明专利技术通过在像素单元上对应黑矩阵区域的各膜层之一上设置坐标（栅线和数据线各自的序号），使得在故障发生时，能够快速定位像素单元的位置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)的产品开发过程中，会出现面板(panel)的各种不良，迅速解决或修复这些不良的能力是衡量ー个公司产品开发水平的ー个重要指标。传统的阵列基板如图Ia和Ib所示，包括若干栅线I、数据线2及栅线I和数据线2围成的若干像素单元，对于Cs on common的结构如图la，还包括公共电极线5。其中像素单元包括TFT3和像素电极4，该阵列基板上只有在栅线I (gate线)和数据线2 (data线)两端才有每条栅线I和数据线2的序号，所以在解析或修复不良时很难在阵列基板的有源(active)区域精确地辨识出每个子像素的具体坐标位置。现有的解析方法是借助激光在某个像素打上标记，然后细心寻线到对应的data pad和gatepad,最后才能确定出该像素的具体坐标，不难看出这种方法不仅耗时，而且会对样品造成无法复原的破坏，此时如果要利用SEM，TEM, FIB, EDX等手段对该像素附近的区域做线宽、膜厚、元素成分的测试，则无法获得真实的数据。因此，寻求一种在阵列基板上设计像素坐标的方案可以方便的解决这ー难题。随着TFT-LCD行业的飞速发展，在开发阶段提高解决或修复不良的能力已变得尤为重要。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何快速确定像素单元的位置。(ニ)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种阵列基板，包括若干栅线、数据线及所述栅线和数据线围成的若干像素単元，所述阵列基板的每个像素単元中，与成盒后的黑矩阵对应区域的各膜层之ー上设置有标识所述像素単元坐标的标志。其中，所述像素単元包括像素电极，所述像素电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素単元的一条栅线重叠。其中，每个所述像素単元中的突出部位于所述像素电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的栅线重叠。其中，所述像素単元包括像素电极，所述像素电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素単元的一条数据线重叠。其中，每个所述像素単元中的突出部位于所述像素电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的数据线重叠。其中，所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极或公共电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素単元的一条栅线重叠。其中，每个所述像素単元中的突出部位于所述像素电极或公共电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的栅线重叠。其中，所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极或公共电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素单元的一条数据线重叠。其中，每个所述像素单元中的突出部位于所述像素电极或公共电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的数据线重叠。其中，所述标识所述像素单元坐标的标志为标识围成所述像素单元的栅线和数据线各自的序号组成的图案。本专利技术还提供了一种阵列基板制作方法，包括在基板上制作阵列基板各膜层图案的步骤，在形成其中任一膜层的图案时，在该膜层上与黑矩阵对应区域，采用构图工艺形成标识像素单元坐标的标志。其中，所述采用构图工艺形成标识像素单元坐标的标志方式为在采用掩膜工艺形成所述膜层图案的同时，在掩膜板上增加所述标识像素单元坐标的标志的图案。其中，所述任一膜层的图案为像素电极图案，形成所述像素电极图案的步骤为在当前基板上形成像素电极金属薄膜，并在所述金属薄膜上述涂覆光刻胶；采用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，去除像素电极区域以外的光刻胶，所述像素电极区域与其最近的一条栅线或一条数据线重叠，且去除重叠区域上所述标志对应区域的光刻胶；刻蚀掉暴露出的像素电极金属薄膜，去除剩余的光刻胶，以形成像素电极及位于所述重叠区域的刻蚀有所述标志的像素电极的突出部。其中，阵列基板上每个所述像素电极区域与其同一侧最近的一条栅线或数据线重叠其中，所述任一膜层的图案为公共电极图案，形成所述公共电极图案的步骤为在当前基板上形成公共电极金属薄膜，并在所述金属薄膜上述涂覆光刻胶；采用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，去除公共电极区域以外的光刻胶，所述公共电极区域与其最近的一条栅线或一条数据线重叠，且去除重叠区域上所述标志对应区域的光刻胶；刻蚀掉暴露出的公共电极金属薄膜，去除剩余的光刻胶，以形成公共电极及位于所述重叠区域的刻蚀有所述标志的公共电极的突出部。其中，阵列基板上每个所述公共电极区域与其同一侧最近的一条栅线或数据线重叠。其中，所述标识像素单元坐标的标志为标识围成所述像素单元的栅线和数据线各自的序号组成的图案。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。(三)有益效果本专利技术通过在阵列基板的每个像素单元中，与成盒后的黑矩阵对应区域的各膜层之一上设置有标识该像素单元坐标的标志(栅线和数据线各自的序号)使得在故障发生时，能够快速定位像素单元的位置。附图说明图Ia是现有技术的一种阵列基板结构不意图；图Ib是现有技术的另一种阵列基板结构不意图；图2a是TN模式的显示面板的像素单元沿垂直于数据线方向上的剖面线的剖面图；图2b是TN模式的显示面板的像素单元沿垂直于栅线方向上的剖面线的剖面图；图3a是ADS模式的显示面板的像素单元沿垂直于数据线方向上的剖面线的剖面图；图3b是ADS模式的显示面板的像素单元沿垂直于栅线方向上的剖面线的剖面图；图4a是本专利技术实施例I的一种阵列基板结构示意图； 图4b是本专利技术实施例I的另一种阵列基板结构示意图；图5a是本专利技术实施例2的一种阵列基板结构示意图；图5b是本专利技术实施例2的另一种阵列基板结构不意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。目前，各大厂商正逐渐将显示效果更优良的各种广视角技术应用于移动性产品中，比如 TN (Twisted Nematic,扭曲向列)、IPS (In-Plane Switching,共面转换)、VA(Vertical Alignment,垂直配向)、AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关，简称为ADS)等广视角技术。尤其在ADS模式下，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，能够很大程度提高液晶工作效率并增大透光效率。本专利技术实施例仅以TN和ADS模式为例进行说明，但不用来限制本专利技术的范围，其他模式也可以适用。为了标识阵列基板上每个像素单元的坐标(栅线和数据线各自的序号)，且尽量不影响最终的显示效果，如图2a、2b、3a及3b所示，本专利技术在阵列基板上的每个像素单元中，与成盒后的黑矩阵10对应区域的各膜层之一上设置有标识像素单元坐标的标志。该标志为标识围成该像素单元的栅线和数据线各自的序号组成的图案。如图2a和2b所示，分别为TN (twisted nematic)模式显示面板的像素单元在沿垂直于数据线和垂直于栅线方向上的剖面线的剖面图。彩膜基板11下方为黑矩阵10，黑矩阵10下方为公共电极6。在黑矩阵10对应区域(即图中虚线内的区域)的阵列基板上的位于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括若干栅线、数据线及所述栅线和数据线围成的若干像素单元，其特征在于，所述阵列基板的每个像素单元中，与成盒后的黑矩阵对应区域的各膜层之一上设置有标识所述像素单元坐标的标志。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周纪登，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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