一种TFT阵列基板及显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管TFT阵列基板及显示器，所述TFT阵列基板上包括多条横纵交叉的栅线和数据线，以及多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元是由所述横纵交叉的栅线和数据线围设成的，每个所述子像素单元包括TFT和像素电极，针对共用同一根数据线的两列像素单元，任一像素单元内，两两子像素单元使用的栅线不同，且任意两个像素单元内，两两子像素单元使用的栅线不同。由于同一像素单元内的各子像素单元共用一根数据线，且相邻列的子像素单元共用一根数据线，因此，在实现相同分辨率的像素阵列时，所述TFT阵列基板使用的数据线的条数较少，进而降低了制作源极驱动电路工艺的复杂度，同时节约了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)阵列基板及显示器。
技术介绍
TFT 液晶显示器(TFT-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转程度，从而控制透光的强弱来显示图像的。通常的，液晶显示面板包括用于对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板以及由这两块基板组成的盒中填充的液晶分子。所述TFT阵列基板上形成有纵横交叉的数据线和栅线，数据线和栅线围设成矩阵形式排列的子像素单元，每个R子像素单元、G子像素单元和B子像素单元构成一个像素单元，每个子像素单元包括TFT开关，其中所述TFT开关包括栅极、源极、漏极和半导体有源层，TFT开关的栅极与栅线相连，源极与数据线相连，漏极与子像素单元中的像素电极相连。如图I所示,为现有的使用单栅线(Normal Gate)技术的TFT阵列基板结构示意图(图I中以分辨率为2*6为例)，水平排列的线是栅线，如Gl、G2 "G6，垂直排列的线是数据线，如D1、D2-D6。与栅线和数据线相连的是TFT开关，其中，与TFT开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板上包括多条栅线和多条数据线，以及多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元是由所述横纵交叉的栅线和数据线围设成的，每个所述子像素单元包括TFT和像素电极；针对共用同一根数据线的两列像素单元，任一像素单元内，两两子像素单元使用的栅线不同，且任意两个像素单元内，两两子像素单元使用的栅线不同，所述两列像素单元中的任意一列像素单元包含至少一个像素单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫岩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：