带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器制造技术

本发明专利技术涉及一种带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器，其包括，一个n+型衬底、一个在衬底上的第一外延层、一个形成在第一外延层中的掩埋层、一个在第一外延层上的第二外延层，以及一个形成在掩埋层下方的第一外延层中的植入层。植入层延伸到掩埋层上方。第一沟槽位于掩埋层的一边以及植入层的一边。第二沟槽位于掩埋层的另一边，并且延伸到植入层中。第三沟槽位于植入层的另一边。每个沟槽都内衬有电介质层。在第二外延层的顶面中，制备一组源极区。沟槽和源极区交替出现。在第二外延层中，制备一对植入区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于集成电路的，更确切地说是关于瞬态电压抑制器(TVS )。
技术介绍
瞬态电压抑制器(TVS)是用于保护集成电路免遭过电压损害 的器件。所设计的集成电路都是在电压的正常范围上工作的。然而，静电放电(ESD)、电快速瞬变以及闪电等意外情况产生的不可预测、不可控的高电压，会对电路造成严重损害。当这种高电压产生吋，就需要TVS器件保护集成电路，规避这些可能会损坏集成电路的情況。随着集成电路中配置的易受过电压影响的器件不断增多，对TVS保护的需求也不断增长。典型的TVS应用在USB电源与数据线保护、数字视频界面、高速以太网、笔记本电脑、监视器以及平板显示器中。图I表示配有ニ极管阵列的传统TVS电路，通常用于高带宽数据总线的静电放电(ESD)保护。TVS电路100包括主稳压ニ极管101以及两套转向ニ极管，即高端转向ニ极管103和低端转向ニ极管105。高端转向ニ极管103连接到电压源Vcc,低端转向ニ极管105连接到接地端Gnd，输入/输出口 I/O连接在高端和低端转向ニ极管之间。稳压ニ极管101尺寸很大，作为从高压端(即Vcc端)到地电压端(即Gnd端)的雪崩ニ极管。当I/O 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：？？？？？a）一个n？型半导体衬底；？？？？b）在衬底上的一个n？型半导体材料的第一外延层；？？？？c）位于第一外延层中的一个n？型半导体材料的掩埋层；？？？？d）位于掩埋层下方的第一外延层中的一个p？型半导体材料的植入层，该植入层横向延伸到掩埋层之外，掩埋层、植入层、第一外延层以及衬底构成一个NPN结；？？？？e）位于第一外延层上方的一个p？型材料的第二外延层；？？？？f）形成在第二外延层和第一外延层中的一组沟槽，其中每个沟槽都至少内衬有电介质材料，这组沟槽包括在掩埋层的一边缘和植入层的一边缘处的第一沟槽、在掩埋层另一边缘并延伸到植入层中的第二沟槽、以及...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：管灵鹏，马督儿·博德，安荷·叭剌，胡军，韦恩·F·英格，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：