温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器，其包括，一个n+型衬底、一个在衬底上的第一外延层、一个形成在第一外延层中的掩埋层、一个在第一外延层上的第二外延层，以及一个形成在掩埋层下方的第一外延层中的植入层。植入层延伸到掩埋层上方。第...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。