【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及。
技术介绍
TFT-IXD (薄膜场效应晶体管-液晶显示器)、OLED (有机发光二极管)显示装置、电子纸等显示装置的阵列基板采用行列矩阵驱动模式,具体的由N行栅线和M列数据线交叉形成行列矩阵,实现对行列矩阵中的每个像素电极的控制。在分辨率不变的前提下,为了降低产品的成本,可以考虑减少数据线的数量。为达到这一目的,现有技术提出了一种基于Dual Gate (双栅线)的像素扫描结构,其具体实现方式如下 假设显示面板的分辨率为N*M,即有N*M个像素电极。阵列基板包括N行栅线(6Γ6ν)> Μ/2列数据线(D广DM/2)、和N*M个单栅极的TFT (薄膜场效应晶体管)。其中,一行栅线和一行数据线交叉处设置有2个TFT,一个TFT为栅极正压开启的TFT (用TFT+表示),另一个TFT为栅极负压开启的TFT (用TFT_表示)。其工作原理为在一条栅线的扫描周期内,该栅线的前半巾贞信号为正向开启电压,作为与其连接的栅极正压开启的TFT+的使能信号,使得与TFT+连接的数据线将数据驱动信号输出给TFT+对应的像素电极;该栅线的后 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,包括,栅线、数据线和像素电极,其特征在于,还包括:在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关,其中一个为栅极正压开启的像素开关,另一个为栅极负压开启的像素开关;一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极;一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括,栅线、数据线和像素电极,其特征在于,还包括 在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关,其中一个为栅极正压开启的像素开关,另一个为栅极负压开启的像素开关; 一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极; 一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。2.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,所述多栅极结构的像素开关为双栅极结构的像素开关。3.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,所述多栅极结构的像素开关为薄膜场效应晶体管TFT。4.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,用于驱动位于每条数据线一侧且与所述数据线连接的像素电极的多栅极结构像素开关为栅极正压开启的像素开关,用于驱动每条数据线另一侧且与所述数据线连接的像素电极的多栅极结构像素开关为栅极负压开启的像素开关。5.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,用于驱动位于每条数据线一侧且与所述数据线连接的像素电极的栅极正压开启的多栅极结构像素开关和栅极负压开启的多栅极结构像素开关间隔分布。6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关分别用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接、并位于所述栅线同侧的两个像素电极。7.根据权利要求4或5所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王本莲,祁小敬,蒋冬华,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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