本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示装置及显示装置的驱动方法。其阵列基板包括：栅线、数据线和像素电极，还包括：在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关，其中一个为栅极正压开启的像素开关，另一个为栅极负压开启的像素开关；一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极；一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。由于栅极负压开启的像素开关和栅极正压开启的像素开关采用多栅极结构。因此，本发明专利技术提供的阵列基板可以有效抑制漏电流的产生。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
TFT-IXD (薄膜场效应晶体管-液晶显示器)、OLED (有机发光二极管)显示装置、电子纸等显示装置的阵列基板采用行列矩阵驱动模式，具体的由N行栅线和M列数据线交叉形成行列矩阵，实现对行列矩阵中的每个像素电极的控制。在分辨率不变的前提下，为了降低产品的成本，可以考虑减少数据线的数量。为达到这一目的，现有技术提出了一种基于Dual Gate (双栅线)的像素扫描结构，其具体实现方式如下 假设显示面板的分辨率为N*M，即有N*M个像素电极。阵列基板包括N行栅线(6Γ6ν)> Μ/2列数据线(D广DM/2)、和N*M个单栅极的TFT (薄膜场效应晶体管)。其中，一行栅线和一行数据线交叉处设置有2个TFT，一个TFT为栅极正压开启的TFT (用TFT+表示)，另一个TFT为栅极负压开启的TFT (用TFT_表示)。其工作原理为在一条栅线的扫描周期内，该栅线的前半巾贞信号为正向开启电压，作为与其连接的栅极正压开启的TFT+的使能信号，使得与TFT+连接的数据线将数据驱动信号输出给TFT+对应的像素电极；该栅线的后半帧信号为负向开启电压，作为与其连接的栅极负压开启的TFT_的使能信号，使得与TFT_连接的数据线将数据驱动信号通过输出给TFT_对应的像素电极。上述现有的阵列基板中，由于同时存在栅极正压开启的TFT和栅极负压开启的TFT，那么，TFT的截止电压只能设置在0V。单栅极的TFT在OV时会产生漏电流，无法实现正常截止，因此无法应用到实际产品中。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，用以解决现有技术中薄膜晶体管驱动过程中产生的漏电流的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的一种阵列基板，包括，栅线、数据线和像素电极，还包括在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关，其中一个为栅极正压开启的像素开关，另一个为栅极负压开启的像素开关；一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极；一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。一种显示装置，包括上述的阵列基板。一种显示装置的驱动方法，在一条栅线的扫描周期内，所述扫描周期被划分为第一时段和第二时段，该方法包括在所述扫描周期的第一时段，向上述的阵列基板中的一条栅线输出正向开启电压；在所述扫描周期的第二时段，向上述阵列基板中的所述栅线输出负向开启电压。一种显示装置的驱动方法，在一条栅线的扫描周期内，所述扫描周期被划分为第一时段、第二时段和第三时段，所述第二时段的时序在所述第一时段与所述第三时段之间，该方法包括在所述扫描周期的第一时段，向上述的阵列基板中的一条栅线输出正向开启电压；在所述扫描周期的第二时段，向上述阵列基板中的所述栅线输出OV电压； 在所述扫描周期的第三时段，向上述阵列基板中的所述栅线输出负向开启电压。在相同分辨率下，本专利技术提供的阵列基板，由于栅极负压开启的像素开关和栅极正压开启的像素开关采用多栅极结构。因此，本专利技术提供的阵列基板及包含该阵列基板的显示装置可以有效抑制漏电流的产生。另外，本专利技术提供的显示装置的驱动方法，通过应用在本专利技术提供的显示装置上，实现了上述的产品的有益效果。附图说明图I为本专利技术实施例提供的阵列基板局部结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的第一种阵列基板结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的第二种阵列基板结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第三种阵列基板结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第四种阵列基板结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的第五种阵列基板结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的第六种阵列基板结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的第七种阵列基板结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的第八种阵列基板结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种栅极驱动信号时序图；图11为本专利技术实施例提供的另一种栅极驱动信号时序图。具体实施例方式为了解决现有技术中的基于Dual Gate的像素扫描结构产生漏电流的问题，本专利技术实施例提出了一种新的阵列基板结构，包括栅线、数据线和像素电极，还包括在每条栅线和每条数据线的交叉处的两个多栅极结构的像素开关。这两个多栅极结构的像素开关其中一个为栅极正压开启的像素开关，另一个为栅极负压开启的像素开关。如图I所示，一条栅线2和一条数据线I交叉处的两个多栅极结构的像素开关TFTl和TFT2分别用于驱动位于所在交叉处的数据线I两侧、且与该数据线连接的两个像素电极10。一条栅线2和一条数据线I交叉处的两个多栅极结构的像素开关TFTl和TFT2的各个栅极均与所在交叉处的栅线2连接。其中，图I左侧所示，两个多栅极结构的像素开关TFTl和TFT2分别驱动栅线同侧的两个像素开关10，图I右侧所示，两个多栅极结构的像素开关TFTl和TFT2分别驱动栅线两侧的两个像素开关10。应当指出的是，图I所示的两个多栅极结构的像素开关的位置分布仅为举例而非限定。其中，像素电极与数据线连接，具体是指，像素电极通过驱动它的多栅极结构像素开关与数据线连接。为了驱动相应的像素电极，多栅极结 构的像素开关的源/漏极与相应的像素电极连接，漏/源极与所在交叉处的数据线连接。本专利技术中，源/漏极是指，源极或漏极。在相同分辨率下，本专利技术提供的阵列基板，栅极负压开启的像素开关和栅极正压开启的像素开关采用多栅极结构，由于像素开关的漏电流通常与像素开关的宽长比成正t匕，多栅极结构延长了像素开关的长度，进而降低了宽长比，因此，多栅极结构的像素开关可以有效抑制漏电流的产生。本专利技术实施例中的多栅极结构的像素开关，其栅极结构由至少两个栅极构成。如果由两个栅极构成，则可以称为双栅极结构。当然，根据设计需要，多栅极结构的像素开关，其栅极结构也可以由三个或三个以上栅极结构组成，本专利技术对此不做限定。本专利技术实施例中的多栅极结构的像素开关可以是任何能够控制对应的像素电极开启/关闭的半导体开关结构。优选的，可以是TFT。本专利技术实施例提供的阵列基板中，第一种优选的连接关系为用于驱动位于每条数据线一侧且与这条数据线连接的像素电极的多栅极结构像素开关为栅极正压开启的像素开关，用于驱动每条数据线另一侧且与这条数据线连接的像素电极的多栅极结构像素开关为栅极负压开启的像素开关。本专利技术实施例提供的阵列基板中，第二种优选的连接关系为用于驱动位于每条数据线一侧且与该数据线连接的像素电极的栅极正压开启的多栅极结构像素开关和栅极负压开启的多栅极结构像素开关间隔分布。在上述第一种或第二种优选的连接关系基础上，进一步的连接关系可以是一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关分别用于驱动位于这条数据线两侧且与这条数据线连接、并位于这条栅线同侧的两个像素电极。这种情况下，本专利技术实施例提供的阵列基板采用Dual Gate结构，在栅线数量不变的情况下，数据线数量较之常规的阵列基板减半。在上述第一种或第二种优选的连接关系基础上，进一步的连接关系可以是一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关分别用于驱动位于这条数据线两侧且与这条数据线连接、并位于这条栅线两侧的两个像素电极。这种情况下，本专利技术实施例提供的阵列基板类似于Dual Gate结构，在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括，栅线、数据线和像素电极，其特征在于，还包括：在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关，其中一个为栅极正压开启的像素开关，另一个为栅极负压开启的像素开关；一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极；一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括，栅线、数据线和像素电极，其特征在于，还包括 在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关，其中一个为栅极正压开启的像素开关，另一个为栅极负压开启的像素开关； 一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极； 一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。2.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述多栅极结构的像素开关为双栅极结构的像素开关。3.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述多栅极结构的像素开关为薄膜场效应晶体管TFT。4.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，用于驱动位于每条数据线一侧且与所述数据线连接的像素电极的多栅极结构像素开关为栅极正压开启的像素开关，用于驱动每条数据线另一侧且与所述数据线连接的像素电极的多栅极结构像素开关为栅极负压开启的像素开关。5.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，用于驱动位于每条数据线一侧且与所述数据线连接的像素电极的栅极正压开启的多栅极结构像素开关和栅极负压开启的多栅极结构像素开关间隔分布。6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关分别用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接、并位于所述栅线同侧的两个像素电极。7.根据权利要求4或5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王本莲，祁小敬，蒋冬华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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