ESD保护元件制造技术

本发明专利技术公开一种ESD保护元件。该ESD保护元件包括：MOS晶体管，其并排配置有源极区、栅极及漏极区；第1硅化物层，其形成于所述源极区的表面上；第2硅化物层，其形成于所述漏极区的表面上；第1连接部，其形成于所述第1硅化物层上；以及第2连接部，其形成在所述第2硅化物层上，且不与所述第1连接部对置；其中，所述第1硅化物层形成为在所述源极区上扩张至与所述第2连接部对置的区域，所述第2硅化物层形成为在所述漏极区上扩张至与所述第1连接部对置的区域。

【技术实现步骤摘要】
ESD保护元件
本专利技术涉及静电放电(Electro-StaticDischarge：ESD)保护元件，更详细地，涉及保护内部电路免受静电放电应力电流(ESDstresscurrent)损伤的ESD保护元件。
技术介绍
一般，静电放电(Electro-StaticDischarge：ESD)保护电路为了防止从带电的人体或机器流入半导体元件内部的静电放电应力电流(ESDstresscurrent)导致的内部电路的损伤而设置在半导体元件内的输入输出焊盘(pad)及电源/接地焊盘与内部电路之间。根据系统芯片(systemonchip)而集成度越高，则ESD保护元件所占的面积在决定半导体芯片的整体大小时所占的比重越大。另外，从ESD保护电路作为决定芯片性能的重要因素而发挥作用的方面来看，ESD保护元件的重要性逐渐升高。很多情况下，ESD保护元件使用N-型MOSFET(gategroundedN-typeMOSFET：GGNMOS)，该N-型MOSFET将栅极、源极和本体连接成一体，并将其连接在接地电压节点Vss上，接地线(Vss)和电源线(Vdd)通过触头(contact)分别连接在源极和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ESD保护元件，其特征在于，包括：MOS晶体管，其并排配置有源极区、栅极及漏极区；第1硅化物层，其形成于所述源极区的表面上；第2硅化物层，其形成于所述漏极区的表面上；第1连接部，其形成于所述第1硅化物层上；以及第2连接部，其形成在所述第2硅化物层上，且不与所述第1连接部对置；其中，所述第1硅化物层形成为在所述源极区上扩张至与所述第2连接部对置的区域，所述第2硅化物层形成为在所述漏极区上扩张至与所述第1连接部对置的区域。

【技术特征摘要】
2011.07.01 KR 10-2011-00656091.一种ESD保护元件，其特征在于，包括：MOS晶体管，其并排配置有源极区、栅极及漏极区；第1硅化物层，其形成于所述源极区的表面上；第2硅化物层，其形成于所述漏极区的表面上；第1连接部，其形成于所述第1硅化物层上；以及第2连接部，其形成在所述第2硅化物层上，且不与所述第1连接部对置；其中，所述第1硅化物层形成为在所述源极区上扩张至与所述第2连接部对置的区域，所述第2硅化物层形成为在所述漏极区上扩张至与所述第1连接部对置的区域。2.根据权利要求1所述的ESD保护元件，其特征在于，还包括第1金属部和第2金属部，所述第1金属部和第2金属部与所述MOS晶体管的表面隔离，在与所述源极区、所述栅极和所述漏极区的配置方向垂直的方向上并排配置，所述第1连接部和第2连接部分别与所述第1金属部和第2金属部连接。3.根据权利要求2所述的ESD保护元件，其特征在于，所述第1金属部与接地端子连接，所述第2金属部与流入ESD应力电流的电源端子连接。4.根据权利要求2所述的ESD保护元件，其特征在于，所述第1金属部和第2金属部互相隔离至少0.23μm而配置。5.根据权利要求2所述的ESD保护元件，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层配置在所述第1金属部和所述第2金属部与所述MOS晶体管之间。6.根据权利要求5所述的ESD保护元件，其特征在于，所述第1连接部和第2连接部分别包括贯通所述绝缘层的至少一个触头。7.根据权利要求1所述的ESD保护元件，其特征在于，所述第1硅化物层以所述源极区的中心部为基准以规定大小形成，使得从所述源极区的边界露出一定范围的源极区；所述第2硅化物层以所述漏极区的中心部为基准以规定大小形成，使得从所述漏极区的边界露出一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰勋，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限会社，
类型：发明
国别省市：