单向瞬态电压抑制器制造技术

本发明专利技术涉及一种单向瞬态电压抑制器。其中，外延层位于衬底上方。第一和第二本体区形成在外延层中，并且相互间隔一预设的水平间距。触发和源极区形成在外延层中。第一源极区在第一和第二触发区之间的第一本体区横切附近，第一和第二触发区在第一源极区的水平附近，且在第一本体区的横切附近。第二源极区位于第三和第四触发区之间的第二本体区横切附近，第三和第四触发区在第二源极区的水平附近，且在第二本体区的横切附近。第四触发区在第二和第三源极区之间。第四触发区中的植入区在第三源极区的水平附近。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种瞬态电压抑制，更确切地说是指一种单向瞬态电压抑制器(TVS)及其制备方法。
技术介绍
瞬态电压抑制器(TVS)是用于保护集成电路免遭过电压损害的器件。所设计的集成电路都是在电压的正常范围上工作的。然而，静电放电(ESD)、电快速瞬变以及闪电等意外情况产生的不可预测、不可控的高电压，会对电路造成严重损害。当这种高电压产生吋，就需要TVS器件保护集成电路，规避这些可能会损坏集成电路的情況。随着集成电路中配置的易受过电压影响的器件不断增多，对TVS保护的需求也不断增长。典型的TVS应用在USB电源与数据线保护、数字视频界面、高速以太网、笔记本电脑、监视器以及平板显示器中。 单向的TVS器件广泛用于保护上述应用的集成电路。这类器件受限于它们的工作方式。当瞬态正循环时(即正电压峰值)，单向TVS器件反向偏置。器件在雪崩模式下运行，将瞬态电流引入接地。瞬态被嵌制在TVS器件由TVS器件提供的箝位能级，确保对集成电路的保护。当瞬态负循环时(即负电压峰值)，单向TVS器件正向偏置。瞬态被嵌制在单边器件的内置电压降，电流沿正向传导。传统的单向TVS器件采用ー个NPN晶体管，基极和发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单向瞬态电压抑制器器件，其特征在于，包括：a)？一个第一导电类型的半导体衬底；b)？一个形成在衬底上的第一导电类型的外延层；c)？一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第一和第二本体区，形成在外延层中，第一和第二本体区之间水平间隔一预定距离；d)？一组第二导电类型的触发区，形成在外延层的顶面中；e)？一组第一导电类型的源极区，形成在外延层的顶面中；触发区和源极区包括：一个第一源极区，位于第一和第二触发区之间的第一本体区的横切附近，所述第一和第二触发区水平靠近第一源极区，且横切靠近第一本体区；一个第二源极区，位于第三和第四触发区之间的第二本体区的横切附近，所述第三和第四触发区水平靠近第二源极...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：管灵鹏，马督儿·博德，安荷·叭剌，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：