【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
在按比例缩放技术中，在存储器单元中的最小尺寸的器件上的集成水平和工艺变化的增加使同时维持存储器单元稳定性和写裕度有挑战性。可通过在写操作期间使到存储器单元的供电崩溃来增强写裕度。在这样的方法中，耦合到存储器单元的供电电压减小以减弱被写的存储器单元的p型晶体管的强度来增强写裕度。然而，在沿着被写到的存储器单元的列的部分地选择的单元中，存储器单元的状态在供电崩溃操作期间被维持。这些部分地选择的存储器单元的保持特性对供电崩溃的持续时间和深度设置约束，且是难以在技术发展期间在设计时间处预测的技术敏感度量。当前，供电崩溃的已知方法显著增加了Vcc-Vss跨接电流（从电源到地的电流），这是低功率设计的阻碍。在崩溃电压可能需要停留在被抑制的电平处延长的时间的低频率情况下，这个跨接电流可在SRAM（静态随机存取存储器）中将总写功率消耗增加一直到2X。附图说明从下面给出的详细描述和从本公开的各种实施例的附图将更充分理解本公开的实施例，然而，实施例不应被理解为将本公开限制到特定的实施例，而是仅用于解释和理解。图1是根据本公开的一个实施例的在写操作期间调整对（多个）存储器单元的供电的高级体系结构。图2是根据本公开的一个实施例的用于在写操作期间调整对（多个）存储器单元的供电的基于磁滞的体系结构的电路实现。图3是根据本公开的一个实施例的用于实现图2的电路的磁滞的可编程施密特触发器。图4A是根据本公开的一个实施例的从图1的电路接收可调整供电的6T（六晶体管）SRAM单元。图4B是根据本公开的一个实施...
【技术保护点】
一种装置包括：供电节点；可操作来调整在所述供电节点上的电压的器件；以及耦合到所述供电节点的反馈单元，所述反馈单元响应于在所述供电节点上的所述电压的电压电平而控制所述器件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置包括：
供电节点；
可操作来调整在所述供电节点上的电压的器件；以及
耦合到所述供电节点的反馈单元，所述反馈单元响应于在所述供电节点上的所述电压的电压电平而控制所述器件。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述器件耦合到所述供电节点和另一节点。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述另一节点是下列项中的至少一个：
地节点；
电容负载；或
具有低于供电电压的电压电位的节点。
4.如权利要求2所述的装置，其中所述器件是下列项中的至少一个：
p型器件；或
n型器件。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述反馈单元包括具有磁滞的电路。
6.如权利要求5所述的装置，其中具有磁滞的所述电路包括施密特触发器，所述施密特触发器包括可操作来调整所述施密特触发器的跳闸点的器件。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述反馈单元包括下列项中的至少一个：
电容器；或
导线。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述电容器是下列项中的至少一个：
金属电容器；
器件电容器；或
包括金属电容器和器件电容器的混合电容器。
9.如权利要求7所述的装置，其中所述电容器的一个端子耦合到所述供电节点，且其中所述电容器的另一端子可操作来耦合到参考电压或浮动节点。
10.如权利要求9所述的装置，还包括参考发生器以提供所述参考电压。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述参考发生器可操作来调整所述参考电压的电压电平。
12.如权利要求1所述的装置，还包括耦合到所述供电节点的存储器单元。
13.如权利要求12所述的装置，其中所述存储器单元是SRAM单元。
14.一种装置，包括：
供电节点；
可操作来下拉所述供电节点上的电压的下拉器件；以及
耦合到所述供电节点的施密特触发器，所述施密特触发器响应于在所述供电节点上的电压的电压电平来控制所述下拉器件。
15.如权利要求14所述的装置，还包括：
耦合到所述施密特触发器的输出的逻辑门，所述逻辑门具有用于控制所述下拉器件的输出，其中所述逻辑门接收另一输入以使能或禁用所述逻辑门。
16.如权利要求14所述的装置，其中所述施密特触发器可操作来调整它的跳闸点。
17.如权利要求14所述的装置，还包括耦合到所述供电节点的存储器单元。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述存储器单元是SRAM单元。
1...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·A·卡尔，YG·吴，C·德雷，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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