内部电压发生电路、半导体存储器件和半导体存储系统技术方案

一种内部电压发生电路，包括：充电单元，适于在对应于控制信号的时间内充电电荷；充电控制单元，适于产生在对应于温度信息的时间内被激活的所述控制信号，且控制所述充电单元的充电操作；以及输出单元，适于基于通过所述充电操作产生的电荷量来产生内部电压。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】内部电压发生电路、半导体存储器件和半导体存储系统相关申请的交叉引用本申请要求2014年2月12日提交的申请号为10-2014-0016117的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及半导体设计技术，且更具体地涉及用于产生依赖于温度的内部电压的内部电压发生电路。
技术介绍
通常，诸如双数据率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)的半导体器件从外部控制器接收电源电压以产生用于各种目的的内部电压。通常存在两种用于产生内部电压的方法。一种方法通过向下转换电源电压来产生内部电压，而另一种方法通过泵浦电源电压来产生内部电压。随着半导体技术发展，电路尺寸持续下降，且速度持续增大。随着集成度和速度增大，用在电路操作中的电压电平需要被减小。因此，当前正在研宄用于稳定地产生、维持且控制低电压电平的技术。上述技术包括对产生依赖于温度的内部电压的电路的研宄。通常通过合并具有与绝对温度成正比的(PTAT)电流特性电路和具有与绝对温度互补(CTAT)的电流特性的电路来设计产生依赖温度的内部电压的电路。PTAT电流特性具有温度与电流成正比的关系，这表示电流随着温度的增大而增大。CTAT电流特性具有温度与电流成反比的关系，这表示电流随着温度增大而减小。产生依赖温度的电压的电路通常设计为具有强CTAT功能且对温度敏感，即，相对于温度变化，电压的变化巨大。然而，为了放大电路的CTAT电流特性，在电路中消耗的电流必须增大，而这导致了当电路操作时电路中消耗的电流超过目标电流的问题。
技术实现思路
本专利技术的各种示例性实施例涉及产生依赖温度的电压的内部电压发生电路。根据本专利技术的示例性实施例，一种内部电压发生电路可以包括:充电单元，适于在对应于控制信号的时间内产生电荷；充电控制单元，适于产生在对应于温度信息的时间内被激活的所述控制信号，且控制所述充电单元的充电操作；以及输出单元，适于基于通过所述充电操作产生的所述电荷来产生内部电压。所述充电单元花费在产生所述电荷的时间依赖于所述温度信息。所述控制信号可以具有对应于所述温度信息的脉冲宽度。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种半导体存储器件可以包括:位线，适于传送储存在存储器单元中的数据；电流控制单元，适于响应于位线控制电压而控制流经所述位线的电流；电压发生单元，适于在预感测操作区段期间通过在对应于温度信息的时间内进行充电操作来产生预感测电压；选择输出单元，适于在所述预感测操作区段期间将所述预感测电压作为位线控制电压输出；以及页缓冲单元，适于在主感测操作区段期间感测且输出经由所述位线传送的所述数据。所述选择输出单元可以分别在所述预感测操作区段和所述主感测操作区段期间选择性地输出所述预感测电压和主感测电压。所述预感测电压可以具有基于所述温度信息而变化的电压电平。所述电压发生单元可以包括:充电驱动单元，适于在对应于所述温度信息的时间内供应电源电压；充电单元，适于充电自所述充电驱动单元供应的所述电源电压；以及输出单元，适于产生由所述充电单元定义的与参考电压电平相对应所述预感测电压。半导体存储器件还包括:放电驱动单元，适于将在所述充电单元中充电的电荷放电至接地电压。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种半导体存储系统可以包括:半导体存储器件，适于经由包括预感测操作和主感测操作的读取操作来输出数据；以及控制器，适于响应于自所述半导体存储器件提供的温度信息而控制所述预感测操作和所述主感测操作的进入时序，其中，所述半导体存储器件包括:位线，适于传送储存在存储器单元中的所述数据；电流控制单元，适于响应于位线控制电压而控制流经所述位线的电流；电压发生单元，适于在预感测操作区段期间通过在对应于所述温度信息的时间内进行充电操作来产生预感测电压；选择输出单元，适于在所述预感测操作区段期间将所述预感测电压作为所述位线控制电压输出；以及页缓冲单元，适于在主感测操作区段期间感测且输出经由所述位线传送的所述数据。当所述预感测电压增大时，所述控制器响应于所述温度信息而延迟所述预感测操作的所述进入时序；以及当所述预感测电压减小时，所述控制器响应于所述温度信息而提前所述预感测操作的所述进入时序。将所述预感测操作执行给定时间，且所述主感测操作在所述预感测操作之后执行。根据实施例的内部电压发生电路，可以产生具有对应于温度信息而与PTAT和CTAT电流特性无关的电压电平的内部电压。【附图说明】图1是说明根据本专利技术的示例性实施例的内部电压发生电路的框图；图2是说明在图1中示出的充电单元和输出单元的电路图；图3是说明根据本专利技术的示例性实施例的半导体存储器件的框图；图4是说明图3中所示的用于产生预感测电压的预感测电压发生电路的详细电路图。图5是说明根据本专利技术的示例性实施例的半导体存储系统的框图；图6是说明图5中所示的半导体存储系统的操作的时序图。【具体实施方式】以下将参照附图更详细地描述本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以不同形式实施，且不应该被解释为局限于本文所列实施例。更确切地，提供这些实施例，使得本公开将充分和完整，且将向本领域的技术人员更全面地传达本专利技术的范围。附图不一定按比例，且在一些情况下，为了清楚地说明实施例的特征，比例可以被夸大。在本公开中，附图标记与本专利技术的各种附图和实施例中的相同标号的部分直接对应。在本说明书中还应注意的是，“连接/耦接”不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示一个部件经由中间部件与另一个部件间接耦接的意思。另外，只要未被特意提及，单数形式可以包括复数形式，且反之亦然。图1是说明根据本专利技术的示例性实施例的内部电压发生电路的框图。参见图1，内部电压发生电路包括充电控制单元110、充电单元120和输出单元130。充电控制单元110产生控制信号CTR(其在对应于温度信息INF_TMP的时间期间被激活)，以及充电控制单元110控制充电单元120的充电操作。温度信息INF_TMP是反映温度的信号。例如，控制信号CTR可以具有对应于温度信息INF_TMP的脉冲宽度，且因此，控制信号CTR的脉冲宽度可以根据温度而改变。充电单元120可以在对应于控制信号CTR的时间期间充电电荷，且可以在对应于控制信号CTR的脉冲宽度的时间期间执行充电操作。如上所述，控制信号CTR具有对应于温度信息INF_TMP的脉冲宽度，且因而充电单元120可以在对应于温度信息INF_TMP的时间期间执行充电操作。这表示用于充电操作的时间可以根据温度而不同。输出单元130基于通过充电单元120的充电操作产生的电荷来产生内部电压V_INN。内部电SV_INN具有对应于充电量的电压电平。根据本专利技术的示例性实施例的内部电压发生电路可以通过基于温度信息INF_TMP而控制充电单元120的充电时间来产生内部电压V_INN。图2是说明在图1中示出的充电单元120和输出单元130的电路图。在图2中，附图标记“210”对应于图1的充电单元120，以及附图标记“220”对应于图1的输出单元130。为了便于描述，附图标记“220”被称作为比较单元。参见图2，充电单元210包括PMOS晶体管PM和电容器C。PMOS晶体管PM响应于控制信号CTR而传送电源电压VDD，以及使用通过PMOS晶体管PM的电流对电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内部电压发生电路，包括：充电单元，适于在对应于控制信号的时间内产生电荷；充电控制单元，适于产生在对应于温度信息的时间内被激活的所述控制信号，且控制所述充电单元的充电操作；以及输出单元，适于基于通过所述充电操作产生的所述电荷来产生内部电压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炫锺，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR