【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及与编程操作的执行相关的半导体装置和操作半导体装置的方法。
技术介绍
1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可以包括其中存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置可以是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。
3、编程操作是将数据存储在非易失性存储器装置中所包括的存储器单元中的操作。编程操作可以实现为使得重复地执行增加存储器单元的阈值电压的编程电压施加操作和验证存储器单元的增加后的阈值电压的验证操作。在对存储器单元的验证操作和编程电压施加操作之间，提供给存储器单元的电压被放电，其中出现存储器单元的沟道电位降低到负状态的现象。因此，为了在验证操作终止之后执行编程电压施加操作之前，增加存储器单元的沟道电位，非易失性存储器装置可以向公共源极线施加特定电压。
技术实现思路
1、本公开的实施方式可以提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一存储器单元串组至第n存储器单元串组，每个存储器单元串组包括多个存储器单元串；外围电路，其被配置为顺序地对所述第一存储器单元串组至第n存储器单元串组执行编程操作，每个编程操作包括多个编
2、本公开的实施方式可以提供一种操作半导体装置的方法。所述方法可以包括以下步骤：对第一存储器单元串组至第n存储器单元串组当中的第一存储器单元串组执行多个编程循环，第一存储器单元串组至第n存储器单元串组中的每一个包括多个存储器单元串；在所述多个编程循环中的任意一个编程循环中，向公共源极线施加预充电电压；以及向分别联接至所述第一存储器单元串组至第n存储器单元串组的多条源极选择线当中的、基于将与所述一个编程循环相对应的编程循环计数与参考计数值进行比较的结果而确定的一条或更多条源极选择线施加导通电压。
3、本公开的实施方式可以提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个存储器单元串组，每个存储器单元串组包括多个存储器单元串；外围电路，其被配置为对所述多个存储器单元串组当中的被选存储器单元串组执行包括多个编程循环的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制所述外围电路，使得在所述编程操作期间，每当所述多个编程循环执行的次数等于每个参考计数值时，在向公共源极线施加预充电电压的预充电时段中增加分别联接至所述多个存储器单元串组的多条源极选择线当中的要被施加导通电压的源极选择线的数量。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器基于将与所述一个编程循环相对应的所述编程循环计数与所述参考计数值进行比较的结果，来确定要被施加所述导通电压的一条或更多条源极选择线的数量。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在与所述一个编程循环相对应的所述编程循环计数等于或大于第一参考计数值时，向联接至所述第n存储器单元串组的第一未选源极选择线施加所述导通电压。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在与所述一个编程循环相对应的所述编程循环计数等于或大于第二参考计数值时，向分别联接至所述第n存储器单元串组和与所述第n存储器单元串组相邻的存储器单元串组的第一未选源极选择线和第二未选源极选择线施加所述导通电压。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以当与所述一个编程循环对应的所述
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在向所述一条或更多条源极选择线施加所述导通电压的同时，向联接至所述第一存储器单元串组的多条字线当中的被选字线施加所述导通电压和接地电压中的一者。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在向所述一条或更多条源极选择线施加所述导通电压的同时，向联接至所述第一存储器单元串组至所述第n存储器单元串组的多条漏极选择线施加接地电压。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以向所述一条或更多条源极选择线施加所述导通电压，然后向联接至所述第一存储器单元串组的多条字线当中的被选字线施加编程电压。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在执行对所述第一存储器单元串组的编程操作之后，执行对第二存储器单元串组的编程操作。
11.一种操作半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，向所述一条或更多条源极选择线施加导通电压包括以下步骤：
13.根据权利要求11所述的方法，其中，向所述一条或更多条源极选择线施加导通电压包括以下步骤：
14.根据权利要求11所述的方法，其中，向所述一条或更多条源极选择线施加导通电压包括以下步骤：
15.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
16.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
17.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
18.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
20.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器基于将与所述一个编程循环相对应的所述编程循环计数与所述参考计数值进行比较的结果，来确定要被施加所述导通电压的一条或更多条源极选择线的数量。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在与所述一个编程循环相对应的所述编程循环计数等于或大于第一参考计数值时，向联接至所述第n存储器单元串组的第一未选源极选择线施加所述导通电压。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在与所述一个编程循环相对应的所述编程循环计数等于或大于第二参考计数值时，向分别联接至所述第n存储器单元串组和与所述第n存储器单元串组相邻的存储器单元串组的第一未选源极选择线和第二未选源极选择线施加所述导通电压。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以当与所述一个编程循环对应的所述编程循环计数等于或大于第三参考计数值时，向分别联接至所述第n存储器单元串组、与所述第n存储器单元串组相邻的存储器单元串组、以及所述第一存储器单元串组的第一未选源极选择线、第二未选源极选择线和被选源极选择线施加所述导通电压。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，以在向所述一条或更多条源极选择线施加所述导通电压的同时，向联接至所述第一存储器单元串组的多条字线当中的被选字线施加所述导通电压和接地电...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，郑赞熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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