一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构制造技术

本发明专利技术公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的掺杂硅衬底，在所述掺杂硅衬底表面设置有一系列密排的超深沟槽，所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：一具有第一导电类型（P型或N型）的掺杂硅衬底，在所述掺杂硅衬底表面设置有一系列密排的超深沟槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟东，赵泊然，
申请(专利权)人：应能微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31