一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构，包括：一衬底+外延，一氧化层，一闸极氧化层，一多晶硅（Poly‑Si）层，一场氧化层，一第一掺杂区，一第二掺杂区，一第一次注入第一P+掺杂区，一第一次注入第二P+掺杂区，一介电质层(ILD)，一第二次注入第一P+掺杂区，一第二次注入第二P+掺杂区，一第一金属层，一第二金属层，本实用新型专利技术使用深离子植入技巧，改变电压崩溃时电流路径由原本的P‑掺杂区转向P+掺杂区方向流动，由于P+掺杂区阻值较小，使电流与路径阻值的乘积不易大于内建寄生双级晶体管的Vbe电压让三极管导通，因而容易维持原本雪崩崩溃(UIS)能力及降低snapback发生机率，本实用新型专利技术能完成中高电压的产品，大大提升产品的应用范围。

The structure of a middle and high voltage slotted power gold oxide half effect transistor

【技术实现步骤摘要】
一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构
本技术涉及电子元器件、半导体、集成电路，尤其涉及一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构。
技术介绍
功率金属氧化物半导体场效晶体管PowerMOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor)其结构可区分为沟槽(trench)结构及平面(planar)结构，其中沟槽结构因为元胞尺寸(CellPitch)较小，可得到较佳的阻值，因而被广泛应用在电压200V以下，而200V以上因阻值与元胞尺寸的关链性较低，多用平面结构来完成。MOSFET目前的简易沟槽(trench)结构如图1所示,剖面结构可分为主动区与终端区,其生成的光罩数如不包含钝化层(passivation)为五道分别为Trench、AA、Source、Contact、Metal。此结构器材发生电压崩溃时,将累积大电场而为其崩溃点，电流会留到汲极金属层。而有些设计会省去Source光罩而完成另一种沟槽结构如图2所示，此结构虽然省去Source光罩，但因为终端区的设计不同，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构，其特征在于，包括：/n一衬底+外延（1）；/n一氧化层（2），是沉积在所述外延（1）上，所述氧化层（2）起到硬光阻作用，以便之后的外延蚀刻；/n一闸极氧化层（21），是成长在所述外延上；/n一多晶硅（Poly-Si）层（3），是成长在所述闸极氧化层（21）上；/n一场氧化层（22），所述场氧化层（22）是成长在所述多晶硅（Poly-Si）层（3）与闸闸极氧化层（21）上；/n一第一掺杂区（4），位于所述外延（1）一侧的下面，所述第一掺杂区（4）以离子布值及加热扩散方式来形成第一P-掺杂区（41）及第一N+掺杂区（42）；/n一第二掺杂区（5），...

【技术特征摘要】
1.一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构，其特征在于，包括：
一衬底+外延（1）；
一氧化层（2），是沉积在所述外延（1）上，所述氧化层（2）起到硬光阻作用，以便之后的外延蚀刻；
一闸极氧化层（21），是成长在所述外延上；
一多晶硅（Poly-Si）层（3），是成长在所述闸极氧化层（21）上；
一场氧化层（22），所述场氧化层（22）是成长在所述多晶硅（Poly-Si）层（3）与闸闸极氧化层（21）上；
一第一掺杂区（4），位于所述外延（1）一侧的下面，所述第一掺杂区（4）以离子布值及加热扩散方式来形成第一P-掺杂区（41）及第一N+掺杂区（42）；
一第二掺杂区（5），也位于所述外延（1）另一侧下面，所述第二掺杂区（5）以离子布值及加热扩散方式来形成第二P-掺杂区（51）及第二N+掺杂区（52）；
一第一次注入第一P+掺杂区（43），位于所述第一P-掺杂区（41）及第一N+掺杂区（42）中间，所述第一P+掺杂区（43）是以采用高能量、高剂量的离子布值形成；
一第一次注入第二P+掺杂区（53），位于所述第二P-掺杂区（51）及第二N+掺杂区（52）中间，所述第二P+掺杂区（53）是以采用高能量、高剂量的离子布值形成；
一介电质层(ILD)（6），位于所述场氧化层（22）与闸极氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振道，孙明光，
申请(专利权)人：应能微电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32