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单向瞬态电压抑制器制造技术
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文档序号:8162611
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本发明涉及一种单向瞬态电压抑制器。其中,外延层位于衬底上方。第一和第二本体区形成在外延层中,并且相互间隔一预设的水平间距。触发和源极区形成在外延层中。第一源极区在第一和第二触发区之间的第一本体区横切附近,第一和第二触发区在第一源极区的水平附...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。
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