一种具有ESD保护功能的LIGBT器件制造技术

一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术在不增加掩膜板和工艺步骤的前提下，通过器件结构和版图优化，提供一种具有ESD保护功能的LIGBT器件。本发明专利技术与传统的IGBT器件的不同之处在于本发明专利技术不仅在阳极终结端（沟道宽度方向）设置了结终端N+掺杂的N阱接触区（14），并且在P+掺杂的阳极区（9）周围设置了N+掺杂的N阱接触区（8）这种器件结构及版图优化减小了N型缓冲区的寄生电阻，器件寄生PNP管的开启电压有所增加，失效电流较传统IGBT器件单元有20%的显著提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件
，涉及集成电路芯片的静电释放(Electro-static Discharge,简称为ESD)保护电路,尤指一种具有ESD保护功能的LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor横向绝缘栅双极晶体管)器件结构。
技术介绍
静电放电现象是半导体器件或集成电路在制造、封装、测试、存放、使用等过程中的一种常见现象，往往会造成半导体器件或集成电路的永久性损坏，并因此造成严重的损失。为了解决这个问题，在芯片设计中往往会在内部电路与I/o端口之间，正负电源轨之间设计一个保护电路，此保护电路的功能是在静电放电的脉冲电流未流入内部电路前泄放这部分脉冲电流，并将脉冲电压钳制在一个安全区域，进而减少ESD现象造成的损坏。 IGBT器件由于具有耐压高、导通电阻低、易驱动和开关速度快的特性而被广泛应用于高压集成电路中。常规的IGBT器件是在η-漂移区上形成场氧化层；在近阴极区端采用双离子注入多晶硅自对准掺杂技术形成寄生nMOSFET以及多晶硅栅场板，N+P+区引出阴极金属引线；在近阳极端通过磷离子注入掺杂形成N型缓冲区，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，包括N？漂移区（1），分别位于N？漂移区（1）顶部两侧的P型阱区（3）和N型阱区（7）；所述P型阱区（3）中设置得有一个N+掺杂的阴极区（4）和一个P+掺杂的P阱接触区（5），所述N+掺杂源区（4）与P+掺杂的P阱接触区（5）彼此接触或相互隔离；所述N型阱区（7）中设置得有P+掺杂的阳极区（9）和与P+掺杂的阳极区（9）接触的N+掺杂的N阱接触区（8），并在整个器件结终端的N型阱区（7）中设置得有结终端N+掺杂的N阱接触区（14）；N？漂移区（1）中靠近P型阱区（3）且远离N型阱区（7）的地方设置有隔离区（2），用于LIGBT器件与其他器件之间的相互隔离...

【技术特征摘要】
1.一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，包括N-漂移区(I )，分别位于N-漂移区(I)顶部两侧的P型阱区(3)和N型阱区(7);所述P型阱区(3)中设置得有一个N+掺杂的阴极区(4)和一个P+掺杂的P阱接触区(5)，所述N+掺杂源区(4)与P+掺杂的P阱接触区(5)彼此接触或相互隔离；所述N型阱区(7)中设置得有P+掺杂的阳极区(9)和与P+掺杂的阳极区(9)接触的N+掺杂的N阱接触区(8)，并在整个器件结终端的N型阱区(7)中设置得有结终端N+掺杂的N阱接触区(14)；N-漂移区(I)中靠近P型阱区(3)且远离N型阱区(7)的地方设置有隔离区(2)，用于LIGBT器件与其他器件之间的相互隔离；器件的栅氧化层(6)覆盖P阱接触区(5)与N-漂移区(I)相交区域的表面；器件表层除P型阱区(3)、N型阱区(7)中的P+掺杂的阳极区(9)和N+掺杂的N阱接触区(8)以及结终端N+掺杂的N阱接触区(14)以外的区域覆盖场氧化层(11);多晶硅区(10)覆盖在栅氧化层(6)以及部分与栅氧化层连接的场氧化层(11)表面，用作多晶硅栅电极和栅极场板；阴极金属连线(12)将P+掺杂的P阱接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋苓利，张波，何川，吴道训，樊航，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：