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一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在不增加掩膜板和工艺步骤的前提下，通过器件结构和版图优化，提供一种具有ESD保护功能的LIGBT器件。本发明与传统的IGBT器件的不同之处在于本发明不仅在阳极终结端（...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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