一种Flash型电存储材料及其存储器件的制备方法技术

本发明专利技术属于电存储器新材料与技术领域，具体涉及一种Flash型电存储材料及其电存储器件的制备方法。本发明专利技术所述的Flash型电存储器件的制备过程：将芴-三苯胺共轭聚合物或者芴-三苯胺共轭聚合物与富勒烯衍生物PCBM的混合物，配置成5～15mg/mL的氯苯溶液，然后旋涂在干净的ITO玻璃上，真空干燥，除去溶剂；最后，利用真空蒸镀的方法将顶电极Al镀在聚合物上。利用本发明专利技术制备的有机电存储器件具有工艺操作简单、成本低的特点。此外，由于本发明专利技术中电存储材料具有电子供体基团(三苯胺)和电子受体(PCBM)，因此制备的存储器件具有工作电压低、开关电流比大等特点，在信息存储领域中具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电存储器新材料与
，具体涉及一种Flash型电存储材料及其电存储器件的制备方法。
技术介绍
随着信息技术的飞速发展，电子数码产品快速更新，人们对各种电存储器件的需求日益增长。利用传统的无机半导体材料制备电存储器件的技术已经非常成熟，使其在各信息领域得到充分应用。信息行业的不断进步，使得高集成、小尺寸成为了电存储器件发展的必然趋势。然而，芯片的尺寸不可能无限的缩小，高集成必将面临更多技术难题。因此，发展高性能、低成本的新型电存储材料成为现阶段的发展方向。最近，基于有机半导体材料的电子器件柔性好、易成膜、质量轻、易加工等等方面具有显著的特点，受到研究人员的广泛关注，并且得到了全面快速的发展。与传统的电存储器件(磁盘存储器和无机半导体存储器)相比，利用有机半导体材料制备的电存储器件具有更加突出的有点：通过聚合物三维堆叠能力可以指数级的提高信息储存的密度；制备电存储器件的过程中避免了高温、高真空的操作步骤，大大降低了工艺成本，有利于有机电存储器件材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Flash型电存储器件，其特征在于它是由衬底层(1)、底电极层(2)、有机层(3)和顶电极层(4)构成的。

【技术特征摘要】
1.一种Flash型电存储器件，其特征在于它是由衬底层(1)、底电极层(2)、
有机层(3)和顶电极层(4)构成的。
2.根据权利要求1所述的Flash型电存储器件，其特征在于所述衬底层(1)
为玻璃，优选地，所述阴极层(2)为氧化铟锡(ITO)，更优选地，所述顶电极
层(4)为金属铝。
3.根据权利要求1、2任一项所述的一种Flash型电存储器件，其特征在于
所述的有机层(3)为传输空穴的P型有机半导体材料芴-三苯胺共轭聚合物或者
芴-三苯胺共轭聚合物和有机小分子型电子受体的混合物。
4.根据权利要求3所述的芴-三苯胺共轭聚合物，其特征在于所述的芴-三苯
胺共轭聚合物结构式为：
其中：n为30到100的整数。
5.根据权利要求3或4所述的芴-三苯胺共轭聚合物，其特征在于所述有机
小分子电子受体为PCBM，结构式为：
6.根据权利要求1-5任一项所述的电存储器件的制备方法，其包括如下步骤：
一、将切割好的包含阴极层的衬底层在有机试剂中超声清洗，然后保存在有
机试剂中，优选地，所述包含阴极层的衬底层为ITO玻璃；
二、通过Suzuki反应制备芴-三苯胺共轭聚合物，将共轭聚合物或共轭聚合物
与有机小分子型电子受体的混合物溶于氯苯得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙治尧，李明霞，王淑红，蔡庄，赵曦，虢德超，常青，白续铎，马东阁，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23