像素结构及像素结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种像素结构及其制造方法。像素结构包括一主动组件、一栅绝缘层、一介电绝缘层、一电容电极、一保护层以及一像素电极。主动元件包括一栅极、一半导体通道层、一源极以及一汲极。介电绝缘层覆盖住半导体通道层，其中介电绝缘层的介电系数高于栅绝缘层的介电系数。电容电极重迭于漏极以使电容电极、漏极以及夹于两者间的介电绝缘层构成一储存电容结构。保护层配置于介电绝缘层上并且电容电极位于保护层与介电绝缘层之间。像素电极配置于保护层上并连接于主动元件的漏极。本发明专利技术的像素结构不需大面积的电容电极就具有足够的储存电容值，而有助于提升像素结构的显示开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构及其制作方法，且特别是有关于一种高开口率的像素结构及其制作方法。
技术介绍
目前常见的平面显示器都是以像素结构来构成显示画面所需的最小基本单元，其中像素结构大致上包括主动元件与像素电极。一般来说，经由对应的扫描线来开启特定像素结构中的主动元件时，可以让数据线提供的操作电压藉由主动元件输入给像素电极，以显示对应的显示数据。另外，像素结构中还包括储存电容器(storage capacitor),使得像素结构具有电压保持的功能。也就是，储存电容器用来储存借由主动元件输入给像素电极的操作电压，以维持像素结构的显示画面的稳定性。 储存电容器一般会借由在像素结构中以金属图案形成的电容电极来构成。为了增加储存电容器的电容值以达到良好的显示画面稳定性，往往需增加电容电极的面积。不过，这样的设计意味着金属图案的面积必须增加而降低了像素结构的显示开口率。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，具有理想的显示开口率及足够的储存电容值。本专利技术提供一种像素结构的制作方法，利用介电系数高的绝缘层作为储存电容的介电层藉以让储存电容结构可以提供足够的储存电容值而不需占据大的布局面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：一主动元件，包括一栅极、一半导体通道层、一源极以及一漏极，该源极与该漏极在该栅极上方相隔一间距使该栅极具有至少一部分不重迭于该源极以及该漏极，该半导体信道层至少配置于该间距中；一栅绝缘层，位于该栅极与该半导体通道层之间，且该源极以及该漏极位于该栅绝缘层与该半导体通道层之间；一介电绝缘层，配置于该基板上，覆盖住该半导体通道层，其中该介电绝缘层的介电系数高于该栅绝缘层的介电系数；一电容电极，配置于该介电绝缘层上，且该电容电极重迭于该漏极以使该电容电极、该漏极以及夹于两者间的该介电绝缘层构成一储存电容结构；一保护层，配置于该介电绝缘层上并且该...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张维仁，罗婉瑜，陈勃学，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：