像素结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供形成有第一导电层的基板，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，并使用激光经过第一遮罩照射第一导电层，以形成栅极。接着，形成栅极绝缘层于基板上，以覆盖栅极。继之，同时形成沟道层、源极以及漏极于栅极上方的栅极绝缘层上，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。接着，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分漏极。接着，形成电性连接于漏极的像素电极。本发明专利技术利用激光剥离的方式来制作栅极，并且使得沟道层、源极与漏极同时制作完成，因此相比于公知的像素结构制作方法，可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种像素结构的制作方法，且特别涉及一种使用激光剥离工艺(laserablation process)来制作保护层的像素结构的制作方法。
技术介绍
显示器为人与信息的沟通界面，目前以平面显示器为主要发展的趋势。平面显示器主要有以下几种有机电激发光显示器(organic electroluminescence display)、等离子体显示器(plasma display panel)以及薄膜晶体管液晶显示器等(thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶体管液晶显示器的应用最为广泛。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列基板(thin film transistorarray substrate)、彩色滤光阵列基板(color filter substrate)和液晶层(liquidcrystal layer)所构成。其中，薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线(scan lines)、多条数据线(data lines)以及多个阵列排列的像素结构(pixel unit)，且各个像素结构分别与对应的扫描线及数据线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制作方法，包括：提供一基板；形成一第一导电层于该基板上；提供一第一遮罩于该第一导电层上方，且该第一遮罩暴露出部分的该第一导电层；使用激光经过该第一遮罩照射该第一导电层，以移除该第一遮罩所暴露的部分该第一导电层，而形成一栅极；形成一栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极；形成一沟道层、一源极以及一漏极于该栅极上方的该栅极绝缘层上，其中该源极与该漏极配置于该沟道层的部分区域，且该栅极、该沟道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；仅形成一第一光致抗蚀剂层于部分该漏极上；形成一保护层，以覆盖该栅极绝缘层、该薄膜晶体管以及该第一光致抗蚀剂层；移除该第一光致抗蚀剂层，以使该第一光致抗蚀剂层上的该保...

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制作方法，包括 提供一基板； 形成一第一导电层于该基板上； 提供一第一遮罩于该第一导电层上方，且该第一遮罩暴露出部分的该第一导电层； 使用激光经过该第一遮罩照射该第一导电层，以移除该第一遮罩所暴露的部分该第一导电层，而形成一栅极； 形成一栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极； 形成一沟道层、一源极以及一漏极于该栅极上方的该栅极绝缘层上，其中该源极与该漏极配置于该沟道层的部分区域，且该栅极、该沟道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管； 仅形成一第一光致抗蚀剂层于部分该漏极上； 形成一保护层，以覆盖该栅极绝缘层、该薄膜晶体管以及该第一光致抗蚀剂层； 移除该第一光致抗蚀剂层，以使该第一光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除而形成一图案化保护层于该薄膜晶体管之上，该图案化保护层暴露出部分该漏极；以及形成一像素电极，电性连接于该漏极。2.如权利要求I所述的像素结构的制作方法，其中形成该沟道层、该源极以及该漏极的方法包括 形成一半导体层于该栅极绝缘层上； 形成一第二导电层于该半导体层上； 形成一第二光致抗蚀剂层于该栅极上方的该第二导电层上，其中该第二光致抗蚀剂层分为第一光致抗蚀剂区块与位于该第一光致抗蚀剂区块两侧的第二光致抗蚀剂区块，且该第一光致抗蚀剂区块的厚度小于该第二光致抗蚀剂区块的厚度； 以该第二光致抗蚀剂层为掩模对该第二导电层与该半导体层进行第一蚀刻工艺； 减少该第二光致抗蚀剂层的厚度，直到该第一光致抗蚀剂区块被完全移除；以及以剩余的该第二光致抗蚀剂区块为掩模对该第二导电层进行第二蚀刻工艺，以使剩余的该第二导电层构成该源极以及该漏极，而该剩余的半导体层构成该沟道层。3.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中减少该第二光致抗蚀剂层厚度的方法包括进行灰化工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：方国龙，杨智钧，黄明远，林汉涂，石志鸿，廖达文，詹勋昌，蔡佳琪，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：