一种TFT阵列基板、制作方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板、制作方法及显示装置，能够减少制作TFT阵列基板的构图工艺次数。该阵列基板包括：衬底基板；在衬底基板上设置有像素电极、与源极和数据线图形相同的第一图形，在第一图形上设置有源极、漏极、数据线和TFT沟道；其中，漏极与像素电极直接搭接；在形成有像素电极、源极、漏极、数据线和TFT沟道的基板上，设置有半导体层；在形成有半导体层的基板上，设置有绝缘层，在绝缘层上设置有公共电极、与栅极图形相同的第二图形，在第二图形上设置有栅极，其中，栅极和源极、漏极和半导体层形成TFT。本发明专利技术实施例适用于显示技术领域。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板、制作方法及显示装置。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Cristal Display,薄膜晶体管液晶显不器)的阵列基板是通过多次构图工艺形成结构图形来完成，每一次构图工艺中分别包括掩膜曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，较少构图工艺的次数可以降低制造的成本。现有技术中存在一种高级超维场转换技术(ADvanced SuperDimension Switch),简称ADS，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够广生旋转，从而提闻了液晶工作效率并增大了透光效率。闻级超维场开关技术可以提闻 TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开□率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。ADS型阵列基板通常采用6次掩膜工艺来制造该TFT阵列基板，具体的该方法包括步骤I :通过第一次构图工艺，在衬底基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：通过第一次构图工艺，在衬底基板上形成包括像素电极、源极、漏极、TFT沟道和数据线的图形；通过第二次构图工艺，在经过第一次构图工艺的基板上形成包括半导体层的图形；通过第三次构图工艺，在经过第二次构图工艺的基板上形成包括绝缘层、公共电极和栅极的图形。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括 通过第一次构图工艺，在衬底基板上形成包括像素电极、源极、漏极、TFT沟道和数据线的图形； 通过第二次构图工艺，在经过第一次构图工艺的基板上形成包括半导体层的图形；通过第三次构图工艺，在经过第二次构图工艺的基板上形成包括绝缘层、公共电极和栅极的图形。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述通过第一次构图工艺，在衬底基板上形成包括像素电极、源极、漏极、TFT沟道和数据线的图形包括 在所述衬底基板上形成第一透明导电层薄膜、源漏金属层薄膜； 在形成有所述第一透明导电层薄膜和所述源漏金属层薄膜的基板上涂覆光刻胶；利用双色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，在像素单元中，所述光刻胶完全保留区域对应数据线、源极、漏极区域，所述光刻胶半保留区域对应像素电极区域，所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中的光刻胶完全保留区域和所述光刻胶半保留区域之外的区域；利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的所述源漏金属层薄膜和所述第一透明导电层薄膜； 利用灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶； 利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的所述源漏金属层薄膜，以露出所述像素电极； 剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成包括所述像素电极、所述源极、所述漏极、所述TFT沟道和所述数据线的图形；其中所述源极和所述数据线相连接，所述源极、所述漏极和所述数据线下方还形成有与所述源极、所述漏极和所述数据线图形相同的第一透明导电薄膜。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于， 通过第一次构图工艺，所述利用双色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成所述光刻胶完全保留区域、所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域；其中，在像素单元中，所述光刻胶完全保留区域对应数据线、源极、漏极区域，所述光刻胶半保留区域对应像素电极区域中为梳状电极区域，所述光刻胶完全去除区域还包括像素电极区域中所述梳状电极之间的狭缝； 经过刻蚀、灰化、第二次刻蚀和剥离工艺后，形成包括狭缝的像素电极、源极、漏极、TFT沟道和数据线的图形。4.根据权利要求I 3所述任一方法，其特征在于，所述通过第二次构图工艺，在经过第一次构图工艺的基板上形成包括半导体层的图形包括 在经过第一次构图工艺的基板上形成半导体层薄膜； 在形成有半导体层薄膜的基板上涂覆光刻胶； 利用掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应TFT区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中所述光刻胶完全保留区域之外的区域； 利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域的半导体层薄膜，形成半导体层；剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，以露出所述半导体层。5.根据权利要求I 3中所述任一方法，其特征在于，通过第三次构图工艺，在经过第二次构图工艺的基板上形成包括绝缘层、公共电极和栅极的图形包括 在经过第二次构图工艺的基板上形成绝缘层薄膜、第二透明导电层薄膜和栅金属层薄膜； 在形成有所述绝缘层薄膜、第二透明导电层薄膜和栅金属层薄膜的基板上涂覆光刻胶； 利用三灰阶掩摸板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、第一厚度光刻胶部分保留区域、第二厚度光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，在周边引线区域中，所述光刻胶完全去除区域对应数据线引线的过孔区，在像素单元中，所述光刻胶完全保留区域对应栅极，所述第一厚度光刻胶部分保留区域对应公共电极区域的梳状电极区域，所述第二厚度光刻胶部分保留区域对应像素区域中除所述光刻胶完全保留区域和所述第一厚度光刻胶部分保留区域以外的区域，所述第一厚度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘圣烈，宋泳锡，崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：