一种薄膜晶体管阵列的制造方法技术

技术编号:8241956 阅读:162 留言:0更新日期:2013-01-24 22:54
本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法。本发明专利技术所述制造方法包括以下步骤:在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案;根据所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列;根据需要将所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。本发明专利技术提高了较大面积而生产数量较少的薄膜晶体管阵列的生产效率,降低了较大面积薄膜晶体管阵列面板的不良率,并可使用较小面积薄膜晶体管阵列面板工艺、材料制造较大面积薄膜晶体管阵列面板,由此减低大面积面板成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)阵列的制造方法,尤其是涉及用于液晶面板TFT阵列的制造方法。
技术介绍
一个TFT阵列通常包括纵横交叉的行(栅极)扫描线和列(数据)扫描线、行扫描线引脚和列扫描线引脚,以及与行扫描线和列扫描线连接的TFT。目前液晶面板TFT阵列制造方法是首先制作出一套TFT阵列所需的掩模板,所述的TFT阵列从阵列互相垂直的二边引出扫描线引脚;然后,通过多次沉积、掩模板套准后曝光和光刻步骤制造出所需的TFT阵列。虽然,一套掩模板有多个曝光区,可以同时制造多个TFT阵列,但所制造的TFT阵列的规格和面积相同。此方法的不足之处就是一套掩模板只能制造一种规格、面积的TFT阵列。如需制造数量较少,面积较大的TFT阵列则成本非常高。并且由于一些不可预知因素,如灰 尘未清洗干净等,可以导致TFT阵列出现不可修复的坏点,而一个坏点的存在可能导致整个TFT阵列报废。由于TFT阵列越大,出现坏点的机会越高,因此,目前TFT面板面积越大,良率越低,成本就越高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT阵列的制造方法,采用一套掩模板就能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列的制造方法,所述的薄膜晶体管阵列包括:纵横交叉的行扫描线和列扫描线、行扫描线引脚、列扫描线引脚,以及与行扫描线和列扫描线连接的薄膜晶体管,其特征在于:所述制造方法包括以下步骤:A.在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案;B.?根据步骤A所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列;C.?根据需要将步骤B所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:王亚平
申请(专利权)人:广州市恩正电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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