一种提高Cu CMP效率的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高CuCMP效率的方法。本发明专利技术提出一种提高CuCMP效率的方法，通过电镀金属铜后对形成的铜膜进行电解处理，能可控的去除部分铜膜，以满足CuCMP工艺需求，从而简化了CuCMP研磨工艺步骤，减少CuCMP工艺时间，节省了研磨成本，提高产出率，不仅能保证CuCMP的工艺效果，还与传统CuCMP工艺兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体技术的迅速发展，双大马士革结构的铜线互联技术已经成为集成电路互联线形成的主要方式。在铜线互联工艺中，于光刻、蚀刻以形成连线凹槽后，经铜电镀(Electro-plating,简称ECP)以及退火(anneal)后直接进入铜化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing,简称CMP)工艺,并最终定义出铜线。图1-5是本专利技术
技术介绍
中传统铜互联线工艺流程示意图；如图1-5所示，在层间介质层11的上表面从下至上顺序依次覆盖有刻蚀阻挡层(etch stop) 12、低介电常数介质层13和金属硬掩膜14，通孔15贯穿低介电常数介质层13和金属硬掩膜14至刻蚀阻挡层12的上表面；首先，填充并电镀铜16充满通孔15并覆盖金属硬掩膜14的上表面，由于图形形状有一定的高低变化，使得电镀铜16的上表面不平整；其次，采用快速研磨工艺(CMP)去除铜16表面大部分铜膜以初步达到平坦，并继续采用低速的研磨工艺去除剩余铜161至金属硬掩膜14的上表面；然后，去除金属硬掩膜14，并对再次研磨剩余铜162进行平坦化处理，最后形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高Cu？CMP效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在具有互联线通孔的大马士革结构上，电镀金属铜膜充满所述通孔并覆盖所述半导体结构的上表面，且所述铜膜的上表面不平整；步骤S2：根据工艺需求电解去除部分所述铜膜，对所述铜膜进行平坦化处理后，电解剩余铜膜厚度符合后续CMP低速精细研磨工艺需求，并继续CMP平坦化工艺形成铜互联线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白英英，张守龙，张冬芳，徐友峰，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：