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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高CuCMP效率的方法。本发明提出一种提高CuCMP效率的方法，通过电镀金属铜后对形成的铜膜进行电解处理，能可控的去除部分铜膜，以满足CuCMP工艺需求，从而简化了CuCMP研磨工艺步骤，减少CuCM...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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