一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构的两侧形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成介电层，且在所述介电层中形成铜金属互连线；在所述介电层以及铜金属互连线上形成铜扩散阻挡层，形成所述铜扩散阻挡层的前体材料包括乙炔、三甲基硅烷和氨气，所述乙炔可以将氢固定于所述铜扩散阻挡层中。根据本发明专利技术，可以有效避免氢通过铜金属扩散进入栅氧化层，诱导栅氧化层产生漏电，提高栅氧化层的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种改善栅氧化层漏电现象的方法。
技术介绍
随着IC制造集成度的不断提高，MOS器件的栅氧化层变得越来越薄。虽然工作电压得以降低，但是器件的日益微型化以及性能的不断提高使得施加于栅氧化层的电场强度更高。电场强度越高，栅氧化层漏电现象越严重，发生经时介电击穿(TDDB)的时间越短，因此，对栅氧化层可靠性的要求越来越高。影响栅氧化层可靠性的因素很多，例如栅氧化层本身构成材料的性能、形成栅氧化层的方法、后续工艺对栅氧化层的影响(例如应力影响)等。例如，实施铜金属互连工艺的 过程中需要形成阻止铜金属扩散的阻挡层，用于阻止下层铜金属向上层介电层以及上层铜金属向下层介电层的扩散，通常采用氮化硅作为所述铜金属扩散阻挡层的材料，形成氮化硅通常通过硅烷(SiH4)与氨气(NH3)发生反应来制备。这种方法制备的氮化硅中存在大量的硅氢键(Si-H)，其中的氢在电场的作用下可以通过铜金属扩散到栅氧化层中，诱导栅氧化层产生缺陷，进而影响栅氧化层的可靠性。如果通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)使三甲基硅烷(3MS)或四甲基硅烷(4MS)与氨气(NH3)发生反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构的两侧形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成介电层，且在所述介电层中形成铜金属互连线；在所述介电层以及铜金属互连线上形成铜扩散阻挡层，形成所述铜扩散阻挡层的前体材料包括乙炔，所述乙炔可以将氢固定于所述铜扩散阻挡层中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：