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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构的两侧形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成介电层，且在所述介电层中形成铜金属互连线；在所述介电层以及铜金属互连线上形成铜扩散阻挡层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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