阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，解决现有技术形成第一过孔与第三过孔较快，形成第二过孔较慢，造成阵列基板的第二过孔处刻蚀不全或者第一过孔及第三过孔处刻蚀过多的问题。方法包括：在具有栅极图案、栅极垫图案和栅绝缘层的基板上，形成有源层图案和栅极垫过孔，其中栅极垫过孔是在栅极垫图案对应区域上形成的，栅极垫过孔包括栅绝缘层栅极垫过孔；形成源极图案、漏极图案和数据垫图案；形成钝化层，在漏极图案对应区域上对钝化层进行刻蚀形成钝化层漏极过孔，在栅极垫图案对应区域上对钝化层进行刻蚀形成钝化层栅极垫过孔，在数据垫图案对应区域上对钝化层进行刻蚀形成钝化层数据垫过孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
目前，薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-IXD)在显示
中得到了广泛的应用。TFT-IXD中的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)有多种，常用的为非晶硅薄膜场效应晶体管(a_SiThin Film Transistor,简称 a_Si TFT)、氧化物薄膜场效应晶体管(Oxide Thin Film Transistor,简称Oxide TFT),其中，Oxide TFT由于其迁移率较高、透光性好、薄膜结构稳定、制备温度低等优点，因此Oxide TFT在TFT-IXD中得到了广泛的应用。如图1(a)所示，一般阵列基板包括像素部分IUPixel Part)、数据垫(DataPad) 12以及栅极垫(Gate Pad) 13，所述数据垫12与栅极垫13位于所述像素部分11的周边。如图1(b)所示，在当前的Oxide TFT-IXD的阵列基板的制造工艺中，在基板上形成像素电极层111之前，需要在已形成源极101、漏极102以及数据垫图案103的基板上形成钝化层104，刻蚀所述钝化层104以形成所述钝化层104的第一过孔105及第三过孔106，刻蚀所述钝化层104及栅绝缘层108以形成第二过孔109，其中所述第一过孔105与所述漏极102对应，所述第二过孔109与栅极垫图案110对应，所述第三过孔106与数据垫图案103对应。在实现本专利技术实施例的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题在形成第一过孔、第二过孔及第三过孔时，形成第一过孔和第三过孔只需要刻蚀一层钝化层，较容易形成，而形成第二过孔上需要刻蚀栅绝缘层和钝化层共两层，且OxideTFT-LCD阵列基板中，栅绝缘层和刻蚀阻挡层材料一般为二氧化硅，二氧化硅具有刻蚀速率较慢的特点，造成形成第二过孔较慢，最终造成阵列基板的第二过孔处刻蚀不完全或者第一过孔及第三过孔处刻蚀过多，从而将会影响到整个Oxide TFT-IXD的阵列基板的良率以及性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，能够解决现有技术中由于形成第一过孔与第三过孔较快，而形成第二过孔较慢，最终造成阵列基板的第二过孔处刻蚀不完全或者第一过孔及第三过孔处刻蚀过多，从而将会影响到整个阵列基板的良率以及性能的问题。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案一种阵列基板的制造方法，包括在具有栅极图案、栅线图案、栅极垫图案和栅绝缘层的基板上，形成有源层图案和栅极垫过孔，其中所述栅极垫过孔是在所述栅极垫图案对应区域上形成的，所述栅极垫过孔包括栅绝缘层栅极垫过孔，其中所述栅绝缘层栅极垫过孔是通过对所述栅极垫图案对应区域上形成的栅绝缘层进行刻蚀形成的；在具有所述有源层图案和栅极垫过孔的基板上形成源极图案、漏极图案、数据线图案和数据垫Data Pad图案；在具有所述源极图案、所述漏极图案和所述栅极垫过孔的基板上形成钝化层，在所述漏极图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层漏极过孔，并在所述栅极垫图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层栅极垫过孔，在所述数据垫图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层数据垫过孔；在具有所述钝化层及所述钝化层漏极过孔和所述钝化层栅极垫过孔的基板上形成像素电极图案，并在所述栅极垫图案对应区域上形成像素电极层栅极垫图案，在所述数据垫图案对应区域上形成像素电极层数据垫图案。进一步的，所述制造方法，还包括 在形成所述源极图案和漏极图案之前，在具有所述有源层图案的基板上形成刻蚀阻挡层；由于后续进行构图工艺(例如刻蚀源漏电极层)以形成源极和漏极会导致有源层图案属性的退化，因此在形成有源层图案的基板上形成刻蚀阻挡层以防止所述有源层图案属性的退化。则所述形成栅极垫过孔的步骤包括对所述栅极垫图案对应区域上的栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层栅极垫过孔；在具有所述栅绝缘层栅极垫过孔的基板上，形成所述刻蚀阻挡层；在具有所述刻蚀阻挡层的基板上，对所述栅极垫图案对应区域上的刻蚀阻挡层进行刻蚀形成刻蚀阻挡层栅极垫过孔，所述栅极垫过孔包括所述栅绝缘层栅极垫过孔和所述刻蚀阻挡层栅极垫过孔；或者形成所述刻蚀阻挡层；在具有所述刻蚀阻挡层的基板上，对所述栅极垫图案对应区域上的所述刻蚀阻挡层进行刻蚀形成第二刻蚀阻挡层栅极垫过孔再对所述栅绝缘层进行刻蚀形成第二栅绝缘层栅极垫过孔；所述栅极垫过孔包括所述第二栅绝缘层栅极垫过孔和所述第二刻蚀阻挡层栅极垫过孔。具体的，所述栅绝缘层栅极垫过孔是在所述有源层图案形成之前，通过一次构图工艺对所述栅极垫图案对应区域上形成的栅绝缘层进行刻蚀而形成的；或者，在形成所述有源层图案之后，通过一次构图工艺对所述栅极垫图案对应区域上的栅绝缘层进行刻蚀而形成的。进一步的，所述制造方法，还包括在形成所述源极图案、漏极图案和数据线图案的同时，在所述栅极垫过孔上形成源漏层栅极垫图案，所述源漏层栅极垫图案覆盖于所述栅极垫图案上。通过所述源漏层栅极垫图案覆盖于所述栅极垫图案上，以保护所述栅极垫图案使得所述栅极垫图案不会在形成栅极垫图案之上的过孔时暴露在外面而被刻蚀。进一步的，所述源漏层栅极垫图案与所述数据垫图案连接。所述源漏层栅极垫图案与所述数据垫图案为同种金属材料，直接通过金属连接，连接的接触电阻较小，避免了接触电阻过大或接触不良的问题。可选的，在所述有源层图案形成之后不形成刻蚀阻挡层，所述有源层图案、所述源极图案和所述漏极图案是在一次掩膜版构图工艺中通过多色调工艺形成的。可选的，所述钝化层、所述钝化层漏极过孔、所述钝化层栅极垫过孔、所述钝化层数据垫过孔以及所述像素电极图案、所述像素电极层栅极垫图案、所述像素电极层数据垫图案是在一次掩膜版构图工艺中通过多色调工艺和离地剥离Lift off工艺形成的。一种阵列基板，包括衬底基板，以及在衬底基板上形成的薄膜晶体管、数据垫图案、数据线图案、栅极垫图案和栅线图案，所述栅极垫图案对应的过孔上形成有与所述栅极垫图案相接触的源漏层栅极垫图案，所述源漏层栅极垫图案是与所述薄膜晶体管的源极图案、漏极图案和数据线图案同时形成的；其中所述栅极垫图案对应的过孔包括栅绝缘层栅极垫过孔和钝化层栅极垫过孔，所述栅绝缘层栅极垫过孔是通过刻蚀所述栅极垫图案对应区域上的栅绝缘层形成的，所述钝化层栅极垫过孔是通过刻蚀所述栅极垫图案对应区域上的钝化层形成的。可选的，所述栅绝缘层栅极垫过孔是在形成所述薄膜晶体管的源极图案和漏极图案之前，在形成所述薄膜晶体管的有源层图案之后，通过刻蚀所述栅极垫图案对应区域上 的栅绝缘层形成的。进一步的，所述薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，所述栅极垫图案对应的过孔还包括刻蚀阻挡层栅极垫过孔，所述刻蚀阻挡层栅极垫过孔是在栅绝缘层栅极垫过孔形成后的衬底基板上形成刻蚀阻挡层后，通过刻蚀所述栅极垫图案对应区域上的刻蚀阻挡层而形成的；或者，在栅极垫图案上覆盖栅绝缘层之后且在栅绝缘层栅极垫过孔形成之前的衬底基板上形成刻蚀阻挡层、再通过刻蚀所述栅极垫图案对应区域上的刻蚀阻挡层而形成的；所述栅绝缘层栅极垫过孔是在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在具有栅极图案、栅线图案、栅极垫图案和栅绝缘层的基板上，形成有源层图案和栅极垫过孔，其中所述栅极垫过孔是在所述栅极垫图案对应区域上形成的，所述栅极垫过孔包括栅绝缘层栅极垫过孔，其中所述栅绝缘层栅极垫过孔是通过对所述栅极垫图案对应区域上形成的栅绝缘层进行刻蚀形成的；在具有所述有源层图案和栅极垫过孔的基板上形成源极图案、漏极图案、数据线图案和数据垫图案；在具有所述源极图案、所述漏极图案和所述栅极垫过孔的基板上形成钝化层，在所述漏极图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层漏极过孔，并在所述栅极垫图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层栅极垫过孔，在所述数据垫图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层数据垫过孔；在具有所述钝化层及所述钝化层漏极过孔和所述钝化层栅极垫过孔的基板上形成像素电极图案，并在所述栅极垫图案对应区域上形成像素电极层栅极垫图案，在所述数据垫图案对应区域上形成像素电极层数据垫图案。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括 在具有栅极图案、栅线图案、栅极垫图案和栅绝缘层的基板上，形成有源层图案和栅极垫过孔，其中所述栅极垫过孔是在所述栅极垫图案对应区域上形成的，所述栅极垫过孔包括栅绝缘层栅极垫过孔，其中所述栅绝缘层栅极垫过孔是通过对所述栅极垫图案对应区域上形成的栅绝缘层进行刻蚀形成的； 在具有所述有源层图案和栅极垫过孔的基板上形成源极图案、漏极图案、数据线图案和数据垫图案； 在具有所述源极图案、所述漏极图案和所述栅极垫过孔的基板上形成钝化层，在所述漏极图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层漏极过孔，并在所述栅极垫图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层栅极垫过孔，在所述数据垫图案对应区域上对所述钝化层进行刻蚀形成钝化层数据垫过孔；在具有所述钝化层及所述钝化层漏极过孔和所述钝化层栅极垫过孔的基板上形成像素电极图案，并在所述栅极垫图案对应区域上形成像素电极层栅极垫图案，在所述数据垫图案对应区域上形成像素电极层数据垫图案。2.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，还包括 在形成所述源极图案和漏极图案之前，在具有所述有源层图案的基板上形成刻蚀阻挡层； 则所述形成栅极垫过孔的步骤包括 对所述栅极垫图案对应区域上的栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层栅极垫过孔；在具有所述栅绝缘层栅极垫过孔的基板上，形成所述刻蚀阻挡层；在具有所述刻蚀阻挡层的基板上，对所述栅极垫图案对应区域上的刻蚀阻挡层进行刻蚀形成刻蚀阻挡层栅极垫过孔，所述栅极垫过孔包括所述栅绝缘层栅极垫过孔和所述刻蚀阻挡层栅极垫过孔；或者 形成所述刻蚀阻挡层；在具有所述刻蚀阻挡层的基板上，对所述栅极垫图案对应区域上的所述刻蚀阻挡层进行刻蚀形成第二刻蚀阻挡层栅极垫过孔再对所述栅绝缘层进行刻蚀形成第二栅绝缘层栅极垫过孔；所述栅极垫过孔包括所述第二栅绝缘层栅极垫过孔和所述第二刻蚀阻挡层栅极垫过孔。3.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于， 所述栅绝缘层栅极垫过孔是 在所述有源层图案形成之前，通过一次构图工艺对所述栅极垫图案对应区域上形成的栅绝缘层进行刻蚀而形成的；或者， 在形成所述有源层图案之后，通过一次构图工艺对所述栅极垫图案对应区域上的栅绝缘层进行刻蚀而形成的。4.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，还包括 在形成所述源极图案、漏极图案和数据线图案的同时，在所述栅极垫过孔上形成源漏层栅极垫图案，所述源漏层...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾勉，金在光，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：