薄膜晶体管阵列制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列制作方法，其包含下列步骤：在基板上形成图案化第一金属层；沉积第一绝缘层以覆盖图案化第一金属层；形成图案化氧化物半导体层于薄膜晶体管区的第一绝缘层上；在第一绝缘层与氧化物半导体层上形成第二绝缘层；蚀刻在薄膜晶体管区的第二绝缘层，裸露部分氧化物半导体层，同时蚀刻在讯号线区的第二绝缘层与第一绝缘层，裸露第一金属层；以及形成图案化第二金属层于薄膜晶体管区的图案化第二绝缘层上，使图案化第二金属层电性连接氧化物半导体层，同时形成图案化第二金属层于讯号线区的部分第一金属层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管阵列
，特别是涉及一种无须增加制程步骤可以降低薄膜晶体管的讯号线阻值的薄膜晶体管阵列制程方法。
技术介绍
近年来，除了使用传统硅通道的薄膜晶体管之外，使用氧化物半导体作为通道之薄膜晶体管提供了另一选择。由于氧化物半导体薄膜晶体管具有低温多晶硅半导体薄膜晶体管的高载子移动率的电气特性与非晶硅半导体薄膜晶体管的高电性均匀性，故应用氧化物半导体薄膜晶体管之主动矩阵式平面显示器已渐渐成为市场上的主流技术。一般需要至少六道光罩才能完成采用氧化物半导体(如铟镓锌氧化物半导体等)的薄膜晶体管。而在传统的薄膜晶体管阵列上，若要降低扫描线(Gate Bus Line)与资料线(Data Line)的阻值，通常需要额外新增一道光罩在金属层之间的绝缘层形成桥接孔，而形成金属层直接与另一金属层堆栈的双层金属(Double Metal)设计。图IA 图IG为传统薄膜晶体管阵列的剖面结构图。如图IA所示，在薄膜晶体管阵列10的基板102上可分为薄膜晶体管区104与讯号线(扫描线或资料线)区106。在基板102的薄膜晶体管区104与讯号线区106上分别形成图案化第一金属层108。其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列制作方法，其特征在于包含下列步骤：在一基板上形成一图案化第一金属层；沉积一第一绝缘层以覆盖所述图案化第一金属层；形成一氧化物半导体层于一薄膜晶体管区的所述第一绝缘层上；在所述第一绝缘层与所述氧化物半导体层上形成一第二绝缘层；蚀刻在所述薄膜晶体管区的所述第二绝缘层，裸露部分所述氧化物半导体层，同时蚀刻在一讯号线区的所述第二绝缘层与所述第一绝缘层，裸露部分所述图案化第一金属层；以及形成一图案化第二金属层于所述薄膜晶体管区的所述第二绝缘层上，使所述图案化第二金属层连接所述氧化物半导体层，同时形成所述图案化第二金属层于所述讯号线区的所述图案化第一金属层上而与所述第一金属层接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江政隆，陈柏林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：