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本发明提供一种薄膜晶体管阵列制作方法，其包含下列步骤：在基板上形成图案化第一金属层；沉积第一绝缘层以覆盖图案化第一金属层；形成图案化氧化物半导体层于薄膜晶体管区的第一绝缘层上；在第一绝缘层与氧化物半导体层上形成第二绝缘层；蚀刻在薄膜晶体管区...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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