本发明专利技术的AMOLED像素结构包括像素发光区域，电源线VDD、扫描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。有益效果在于，通过将存储电容器置于电源线VDD之下，缩小了基本像素驱动电路面积，增大底发射AMOLED器件开口率，有利改善器件的功耗效率和寿命。通过上述方案，如果能够通过优化薄膜晶体管的存储电容，来缩小像素电路的尺寸大小，且不影响像素电路的驱动性能，将会增加像素开口率，改善器件功耗效率及寿命。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的AMOLED像素结构包括像素发光区域，电源线VDD、扫描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。有益效果在于，通过将存储电容器置于电源线VDD之下，缩小了基本像素驱动电路面积，增大底发射AMOLED器件开口率，有利改善器件的功耗效率和寿命。通过上述方案，如果能够通过优化薄膜晶体管的存储电容，来缩小像素电路的尺寸大小，且不影响像素电路的驱动性能，将会增加像素开口率，改善器件功耗效率及寿命。【专利说明】一种AMOLED像素结构及其制作方法
本专利技术涉及有源矩阵型有机电致发光显示
，具体而言涉及一种开口率更高的AMOLED显示器件的像素结构以及制作上述像素结构的制作方法。
技术介绍
有源矩阵型有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light Emitting D1de,AMOLED)器件是未来制备大尺寸、高清晰度有机显示设备的一种新型平板显示器件。AMOLED器件采用独立的薄膜晶体管(TFT)去控制每个点像素，每个点像素皆可以连续且独立的驱动发光。如图1，典型的AMOLED器件在一个Sub Pixel (点像素)10的基本驱动电路(不含补偿)中包括一个开关寻址TFT (Tl) 60、一个OLED驱动TFT(T2)70和一个用来维持帧周期内像素数据电压的储存电容(Cst) 50。 1、其中SCAN40、DATA20和VDD30分别表示扫描线、数据线和驱动电源线，寻址TFT(T1)60的栅极和源极分别与扫描线(SCAN)40和数据线(DATA) 20连接，用于对像素电压也就DATA数据电压进行寻址；2、扫描金属(SCAN)、中间绝缘层(ILD)和电源金属(VDD)分别作为下电极、中间绝缘介质和上电极而构成存储电容(Cst) 50，储存电容(Cst)通过接触孔与T160的漏极电性相连，用于储存寻址期间输入该像素单元的数据电压，以维持帧周期内持续发光；该存储电容占据像素电极的部分区域；3、驱动TFT(T2)70通过栅极与Cst50下电极金属连接，通过源极与电源线VDD30连接，用于控制OLED器件的驱动电流。 如图1所示的像素阵列结构，底发射型的AMOLED器件发出的光大部分都被像素电路区域(2T1C基本驱动电路)限制，导致开口率较低，一般约30%-50%。而且随着图像分辨率的提高，开口率还会降低。开口率低，会导致流经器件的电流密度大，加速器件老化，最后缩短像素寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有的AMOLED器件发光区域被像素的电路区域限制，导致开口率较低的不足，提出了一种AMOLED像素结构以及制作上述像素结构的制作方法。 本专利技术的技术方案为:一种AMOLED像素结构，包括像素发光区域，电源线VDDjS描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，其特征在于，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。 进一步的，开关晶体管和驱动晶体管向2T1C电路中存储电容器所在位置转移，开关晶体管和驱动晶体管转移后以子像素发光区域作为填补。 上述AMOLED像素结构的制作方法，包括AMOLED制作工序，其特征在于，在形成VDD之前，在形成电源线VDD的位置制作一层金属用作储存电容Cst的下电极，之后形成的电源线VDD作为存储电容器的上电极，上电极与下电极之间制作间隔介质ILD。 进一步的，上述存储电容器的下电极制作与扫描线SCAN和晶体管的门极金属GATE同步进行。 本专利技术的有益效果:本专利技术的AMOLED像素结构为了改善AMOLED器件的开口率，提高器件的效率及寿命，优化了存储电容的位置，设计了一种可提高底发射AMOLED器件开口率的像素阵列结构。具体通过将存储电容器置于电源线VDD之下，缩小了基本像素驱动电路面积，增大底发射AMOLED器件开口率，有利改善器件的功耗效率和寿命。通过上述方案，如果能够通过优化薄膜晶体管的存储电容，来缩小像素电路的尺寸大小，且不影响像素电路的驱动性能，将会增加像素开口率，改善器件功耗效率及寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有的2T1C驱动的AMOLED像素结构示意图； 图2为本专利技术的AMOLED像素结构制作中沉积GATE、SCAN、Cst下电极金属截面图； 图3为本专利技术的AMOLED像素结构制作中沉积GATE、SCAN、Cst下电极金属俯视图； 图4为本专利技术的AMOLED像素结构制作中离子注入后S/D (晶体管源极和漏极)截面图； 图5为本专利技术的AMOLED像素结构制作中离子注入后S/D俯视图； 图6为本专利技术的AMOLED像素结构制作中ILD沉膜截面图； 图7为本专利技术的AMOLED像素结构制作中接触孔截面图； 图8为本专利技术的AMOLED像素结构制作中接触孔俯视图； 图9为本专利技术的AMOLED像素结构制作中S/D，DATA电极，VDD电极，Cst上电极截面图； 图10为本专利技术的AMOLED像素结构制作中S/D，DATA电极，VDD电极，Cst上电极结构俯视图； 图11为本专利技术的AMOLED像素结构制作中PSV成膜截面图。 【具体实施方式】 本专利技术的实施例是根据本专利技术的原理而设计，下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的阐述。 本实施例的一种AMOLED像素结构，包括像素发光区域，电源线VDD、扫描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。为了使像素区域紧凑，优化像素显示结构，开关晶体管和驱动晶体管向2T1C电路中存储电容器所在位置转移，开关晶体管和驱动晶体管转移后的区域作为子像素发光区域。 上述AMOLED像素结构的制作方法，包括AMOLED制作工序，在形成VDD之前，在形成电源线VDD的位置制作一层金属用作储存电容Cst的下电极，之后形成的电源线VDD作为存储电容器的上电极，上电极与下电极之间制作间隔介质ILD。基于现有的像素制作工艺特点，为了简化工艺步骤，提高生产效率，上述存储电容器的下电极制作与扫描线SCAN和晶体管的门极金属GATE同步进行。 简单地说:本专利技术的方案是充分利用了电源线VDD所覆盖的区域，在形成VDD之前，做SCAN和TFT的GATE金属时，在VDD区域下方先制作一层金属用作储存电容(Cst)的下电极，而不用单独使用区域来制作存储电容的下电极，即存储电容与电源线共占同一区域(中间使用ILD作为间隔介质)，大大缩小了像素电路的面积，且存储电容根据设计需要确定面积，大小可控。而作为具体的电路电气连接状态与现有的电路电气连接状态相同:寻址TFT(开关晶体管)和驱动TFT(驱动晶体管)的栅极分别与扫描线SCAN、储存电容下电极相连，源极分别与数据线DATA和电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种AMOLED像素结构，包括像素发光区域，电源线VDD、扫描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，其特征在于，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：敬启毓，李莉莉，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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