本发明专利技术提供了一种AMOLED像素电路，可实现两个驱动晶体管交替驱动OLED器件，此驱动办法可有效控制像素电路中驱动晶体管的阈值电压偏移的现象。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种AMOLED像素电路，可实现两个驱动晶体管交替驱动OLED器件，此驱动办法可有效控制像素电路中驱动晶体管的阈值电压偏移的现象。【专利说明】—种AMOLED像素电路
本专利技术提供了一种AMOLED像素电路。
技术介绍
AMOLED显示技术因其高色度域，高响应速度，更轻薄等特点，目前正取代IXD技术而逐渐成为下一代显示
有力的竞争者。目前采用LTPS器件驱动的AMOLED显示技术已经量产。OLED是电流器件，同样的显示信号，如果驱动晶体管的特性如阈值或迁移率等有差异，则在显示上会体现出来。LTPS的ELA (准分子激光退火)工艺由于设备基台移动速度等的不均一性，退火后的多晶硅的特性随之出现不均一性，在显示的时候会出现不均一。当前LTPS ELA不均问题的解决方法是在像素内做阈值电压补偿电路，以降低不均一性的程度。请参考图1。当前的像素内做阈值电压补偿没有办法做到电流完全一致的效果。另外，LTPS工艺的成本也比传统的非晶硅要较高得多。非晶态半导体器件没有ELA工艺，特性均一性较LTPS好。非晶态半导体器件在长时间加电压后，会出阀值电压漂移的问题，导致目前非晶态半导体器件无法适用在OLED器件上。
技术实现思路
本专利技术提供了一种AMOLED像素电路，可实现两个驱动晶体管交替驱动OLED器件，以达到有效控制像素电路中驱动晶体管的阈值电压偏移的现象的目的。如图2所示，栅信号Gl与G2先控制Tl与T3打开，Datal与Data2为状态相反的两信号，Datal通过Tl写入Cl，Data2通过T3写入C2，然后栅信号Gl与G2控制Tl与T3关闭，此时驱动晶体管T2与T4分别为打开与关断状态。下一帧时，交换Datal与Data2数据的状态，晶体管T4与T2的打开关断状态交替。Gl与G2可为同一信号同时控制写入不同状态的Datal和Data2。也可先后控制Gl和G2，若Gl与G2不为同时开启，则可将Datal与Data2共用数据线，在时间上分别写入Datal 和 Data2 信号。【专利附图】【附图说明】: 附图1为当前主流的LTPS AMOLED 7T1C阈值电压补偿电路原理图。附图2为本专利技术的4T2C非晶态半导体交流驱动电路原理图。【具体实施方式】 下面介绍的是本专利技术的多个实施例中的一部份，旨在提供对本专利技术的基本了解，并不旨在确认本专利技术的关键或决定性要素或限定所要保护的范围。根据本专利技术的技术方案，在不变更本专利技术的实质精神下，可以相互替换而得到其他的实现方式。如源漏极只是作为电极的区分，物理上是对称结构，可调换。另如非晶硅薄膜晶体管源漏两极与栅极之间存在的电容，在本电路基础上，在任何晶体管的栅源之间或栅漏之间加任意大小电容的电路均包括在本电路专利技术的范围内。再如，电容的串并联后仍为电容，晶体管的串并后仍为晶体管电路特性等，任何电路若等效电路与本专利技术电路相同，仍在本电路的专利技术范围之内。本专利技术的一实施例，请参考图2，包括状态写入非晶硅薄膜晶体管Tl和T3，状态储存电容Cl和C2，OLED驱动晶体管T2和T4，OLED显示器件D1，其中，Dl的一端接到低电压Cathode，Dl的另一端连接到T2的源极和T4的源极，T2的漏极和T4的漏极接到高电压Vdd, T2的栅极连接到电容Cl的一端，Cl的另一端连接到一固定电位，T2的栅极连接到Tl的源极，Tl的栅极连接栅驱动信号Gl，Tl的漏极连接到数据信号Datal，T4的栅极连接到电容C2的一端，C2的另一端连接到一固定电位，T4的栅极还连接到T3的源极，T3的栅极连接栅驱动信号G2，T3的漏极连接到数据信号Data2。栅信号Gl与G2先控制Tl与T3打开，Datal与Data2为状态相反的两信号，Datal通过Tl写入Cl，Data2通过T3写入C2，然后栅信号Gl与G2控制Tl与T3关闭，此时驱动晶体管T2与T4分别为打开与关断状态。下一帧时，交换Datal与Data2数据的状态，晶体管T4与T2的打开关断状态交替。【权利要求】1.一种AMOLED显示器件交替驱动像素电路，状态写入晶体管Tl和T3，状态储存电容Cl和C2，OLED驱动晶体管T2和T4，OLED显示器件Dl，其中，Dl的一端接到低电压Cathode，Dl的另一端连接到T2的源极和T4的源极，T2的漏极和T4的漏极接到高电压Vdd，T2的栅极连接到电容Cl的一端，Cl的另一端连接到一固定电位，T2的栅极还连接到Tl的源极，Tl的栅极连接栅驱动信号G1，Tl的漏极连接到数据信号Datal，T4的栅极连接到电容C2的一端，C2的另一端连接到一固定电位，Τ4的栅极还连接到Τ3的源极，Τ3的栅极连接栅驱动信号G2，Τ3的漏极连接到数据信号Data2。2.权利要求一所述的像素电路，其特征在于，所述的晶体管为非晶硅薄膜晶体管或氧化物半导体晶体管。3.权利要求一所述的像素电路，其特征在于，晶体管T2和T4的状态为交替打开。【文档编号】H01L27/32GK103927991SQ201410175055【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月29日 优先权日:2014年4月29日 【专利技术者】何东阳 申请人:何东阳本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种AMOLED显示器件交替驱动像素电路，状态写入晶体管T1和T3，状态储存电容C1和C2，OLED驱动晶体管T2和T4，OLED显示器件D1，其中，D1的一端接到低电压Cathode，D1的另一端连接到T2的源极和T4的源极，T2的漏极和T4的漏极接到高电压Vdd，T2的栅极连接到电容C1的一端，C1的另一端连接到一固定电位，T2的栅极还连接到T1的源极，T1的栅极连接栅驱动信号G1，T1的漏极连接到数据信号Data1，T4的栅极连接到电容C2的一端，C2的另一端连接到一固定电位，T4的栅极还连接到T3的源极，T3的栅极连接栅驱动信号G2，T3的漏极连接到数据信号Data2。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何东阳，
申请(专利权)人：何东阳，
类型：发明
国别省市：上海;31
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