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提出了一种集成有肖特基二极管的功率器件。根据本实用新型实施例的功率器件包括功率晶体管、肖特基二极管以及沟槽阻隔体，其中所述功率晶体管具有漏区，所述肖特基二极管形成于所述漏区中，所述沟槽阻隔体形成于所述肖特基二极管附近，可以用于降低所述肖特基...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

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