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本发明公开一种功率二极管装置的处理方法，包括以下步骤：首先，提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；接着，将经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一功率...
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