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一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明结构包括衬底和在衬底上依次外延生长的N型氮化镓层、有源发光层、P型氮化镓层。P型氮化镓层的上方为透明导电层，透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、与P型电极相对...
该专利属于南通同方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司授权不得商用。

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