高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片的设计与制造，是一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其步骤包括：⑴提供蓝宝石衬底；⑵形成复式GaN半导体层；⑶生长透明导电层和三个电极；⑷切割道的深刻蚀；⑸侧壁填充；⑹减薄蓝宝石衬底和⑺切割、裂片、扩膜。本发明专利技术的制备方法有利于降低生产成本，提高使用效率，适合工业化大规模生产。用本发明专利技术的方法制造的高压交流半导体发光二极管芯片具有高压交流芯片的优点，又能避免复杂的连接方式，能减小芯片的占用面积，实现了LED芯片集成，便于实现芯片的串并联，具有功能组件的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料
，涉及LED芯片的设计与制造，具体的是一种可直接通交流电的GaN基复式结构(NPN、PNP)发光二极管芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是新一代固态光源，具有体积小、耗电量低、使用寿命长、发光效率高、热量低、环保节能、坚固耐用等诸多优点，广泛应用于图像显示、信号指示和照明灯领域。近年来，在新技术的带动下，氮化镓(GaN)基发光二极管的研究和制造得到迅猛发展。基于GaN基的LED目前被公认为是光电子科学与技术的重大成就，是发展固态照明、实现人类照明革命的关键性光源，具有广泛的应用前景。但就目前来说，可供应用的高效率大功率芯片产品较少，这一直制约着氮化镓(GaN)基发光二极管在照明行业的应用，成为阻碍其取代传统照明技术的主要瓶颈问题。为了达到高功率的要求，已有LED生产企业在生产大功率直流单芯片，也有企业能提供一种由串联的小功率LED集成的大功率高压LED芯片。传统的LED是以直流电为驱动电源的，因此，若使用交流电电源时，必须用附带的整流变压器将交流电转换成直流电才能确保LED的正常运作。但是，人们在应用上一直强调的是LED的省电特性，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供蓝宝石衬底所述蓝宝石衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对应的第二表面，所述衬底包括平片衬底或PSS衬底；（2）形成复式GaN半导体层在步骤（1）的蓝宝石衬底的第一表面生长外延，形成PNP或NPN型的复式GaN半导体层；（3）生长透明导电层和三个电极在步骤（2）形成的GaN半导体层上通过光刻及刻蚀生长透明导电层以及NPN或PNP的三个电极；（4）切割道的深刻蚀在单颗芯片切割道上进行深刻蚀，直至蓝宝石衬底为止，实现单颗芯片光电特性的分离，得到电性分离的三角形芯片组；然后，利用气相沉积法在侧壁生长二氧化硅钝化层，实现侧...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旅云，陈晓鹏，张宇欣，张国龙，吴东平，常志伟，薛进营，王明辉，夏成，
申请(专利权)人：施科特光电材料昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：