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本发明涉及LED芯片的设计与制造，是一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其步骤包括：⑴提供蓝宝石衬底；⑵形成复式GaN半导体层；⑶生长透明导电层和三个电极；⑷切割道的深刻蚀；⑸侧壁填充；⑹减薄蓝宝石衬底和⑺切割、裂片、扩膜。本发明的...
该专利属于施科特光电材料(昆山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过施科特光电材料(昆山)有限公司授权不得商用。

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