【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电
，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
· 以蓝宝石为衬底的发光二极管LED，主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED。目前，发光二极管LED的取光效率较低，大部分能量都转换为热量，为了保证LED的寿命，一般要求散热效果较好的结构，但是，蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管，旨在解决现有技术中蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效的问题。本专利技术是这样实现的，一种发光二极管，所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板，所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上，其中 所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层，所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极； 所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩...
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板，所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上，其中：所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层，所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极；所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐广忠，
申请(专利权)人：泰州普吉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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