本发明专利技术适用于光电技术领域，提供了一种发光二极管，包括发光二极管芯片和反光二极管基板，发光二极管芯片倒置的方式设置在反光二极管基板上，其中：发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在蓝宝石衬底上的GaN结构层，GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极；反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，P型层上设有接触层，接触层上设有金属层，金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本发明专利技术结构简单，使用该发光二极管的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电
，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
· 以蓝宝石为衬底的发光二极管LED，主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED。目前，发光二极管LED的取光效率较低，大部分能量都转换为热量，为了保证LED的寿命，一般要求散热效果较好的结构，但是，蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管，旨在解决现有技术中蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效的问题。本专利技术是这样实现的，一种发光二极管，所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板，所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上，其中 所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层，所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极； 所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本专利技术结构简单，使用该发光二极管的LED，散热效果好，保证了 LED的使用寿命。附图说明 图I是本专利技术提供的发光二极管的结构示意图。具体实施例方式 为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图I示出了本专利技术提供的发光二极管的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本专利技术相关的部分。本专利技术提供的发光二极管包括发光二极管芯片I和反光二极管基板2，所述发光二极管芯片I倒置的方式设置在所述反光二极管基板2上，其中 本专利技术提供的发光二极管芯片I设有一透明的蓝宝石衬底11，通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底11上的GaN结构层12，所述GaN结构层12的下表面设置有P电极13和N电极14，所述发光二极管芯片以倒置的方式设置在基板上。在本专利技术中，P电极13和N电极14为整面结构。本专利技术提供的发光二极管2包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底21，所述单晶衬底I的抛光面上设有一层生长氧化层22，所述生长氧化层22上设有若干个用以形成P型层23的扩散窗口，所述P型层23上设有接触层24，所述接触层24上设有金属层25，所述金属层25连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极26。为了便于理解，下述给出本专利技术提供的发光二极管的制作工艺 1.选择单晶硅片作为单晶衬底； 2.用热生长的方法在所述单晶衬底的抛光面上形成生长氧化层； 3.用光刻腐蚀出扩散窗口； 4.用半导体扩散工艺形成P型层结构； 5.在P型层上通过蒸发形成接触层； 6.在所述接触层焊接形成金属层。·本专利技术结构简单，使用该发光二极管的LED，散热效果好，保证了 LED的使用寿命。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1. 一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板，所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上，其中 所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层，所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极； 所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。全文摘要本专利技术适用于光电
，提供了一种发光二极管，包括发光二极管芯片和反光二极管基板，发光二极管芯片倒置的方式设置在反光二极管基板上，其中发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在蓝宝石衬底上的GaN结构层，GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极；反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，P型层上设有接触层，接触层上设有金属层，金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本专利技术结构简单，使用该发光二极管的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。文档编号H01L33/02GK102891227SQ20121034588公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日专利技术者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板，所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上，其中：所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底，通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层，所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极；所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐广忠，
申请(专利权)人：泰州普吉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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