GaN LED的快速退火制造技术

GaN?LED的快速退火。公开了在形成GaN发光二极管（LED）中进行快速热退火的方法以及用快速热退火层形成的GaN?LED。示例性方法包含形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法包含用或者激光器或者闪光灯进行p-GaN层的快速热退火。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层，并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN?LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及发光二极管(LED)，并且尤其涉及在形成GaNLED中快速热退火的使用。
技术介绍
LED (尤其是GaN LED)已经被证明对各种照明应用(如全色显示、交通灯等等)是 有用的，且如果这些LED能被制成有更高效率的话，则有潜力用于甚至更多的应用(如背光照明LCD板、取代惯用白炽灯的固态照明和荧光灯等等)。为实现GaN LED的更高效率，它们必须有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。GaNLED中的串联电阻与掺杂物激活的效率、电流分布的均匀性和欧姆接触形成密切相关。在GaN中，η型掺杂物容易用Si获得并有高达I X IO21CnT3的激活浓度。ρ型GaN能够用Mg作掺杂物获得。然而，由于Mg的高的热激活能量，Mg掺杂的效率十分低。在室温下，只有被引入的Mg的小的百分比对自由空穴浓度有贡献。Mg掺杂在MOCVD生长期间进一步变复杂，因为氢在生长过程期间钝化。氢钝化要求热退火步骤断开Mg-H键并激活掺杂物。典型的热退火是在约700° C的N2环境中被进行的。到目前为止，P型GaN的实际空穴浓度仍然被限制在约5X1017cm_3。这样低的激活水平导致限制GaN L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成GaN发光二极管（LED）的方法，包括：在基底顶上形成有当中夹入激活层的n？GaN层和p？GaN层的GaN多层结构；进行该p？GaN层的快速热退火；在该GaN多层结构顶上形成透明导电层；和添加p？接触到该透明导电层和添加n？接触到该n？GaN层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王耘，A·M·霍利鲁克，
申请(专利权)人：超科技公司，
类型：发明
国别省市：