【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造
，并且具体来说，涉及一种快速热退火装置。
技术介绍
快速热退火(Rapid Thermal Annealing, RTA)是一种短时高温的热处理工艺。近些年来，快速热退火被引入到薄膜及其它材料的热处理，其特点在于升温速度比较快，可以在几秒至几十秒钟到达所需要的温度(升温速度可以达到45°C /S)。对薄膜采用快速热退火可以具有很多优势，例如可以对薄膜实现快速的表面热处理；可以突破衬底的耐温极限，在高于衬底的耐温极限下对薄膜进行退火；在大规模生产中比较节能等。授权公告号CN 2298265Y公开了一种快速退火装置，其具有一个对外界气体、温度及压力密封的反应室。该反应室包括一个冷却区、一个缓冲区及一个加热区。利用适当的传送装置及控制装置，将欲退火的样品在不同反应区间传送，并控制其内部气体的种类及进出，以及反应室的温度、压力，以提供各种不同退火的环境，达到快速退火的目的。但是，现在很多的薄膜快速热退火需要在一些特殊的气氛条件下进行。例如，碲化镉电池需要在CdCl2蒸汽的气氛下进行，CIGS薄膜电池需要进行硫化或硒化，CZTS薄膜电池需要进行...
【技术保护点】
一种快速热退火装置，包括：衬底承载单元，用于置放衬底；坩埚，在其中放置用于制造气氛的固体物质；以及加热装置，置于所述衬底和所述坩埚之间，用于使所述坩埚中的固体物质蒸发以及向上加热所述衬底架中的衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋猛，刘志强，
申请(专利权)人：无锡尚德太阳能电力有限公司，四川尚德太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。