晶棒表面之调质方法及其晶棒技术

一种晶棒表面之调质方法，包含以下步骤：步骤一：提供一晶棒，并以一盖体罩盖该晶棒；步骤二：利用一加热单元将该晶棒加热至一预定温度并持温一段时间；及步骤三进行一冷却步骤，以将该晶棒冷却；其中，该盖体至少具有一部分的透明区域，使该加热单元的热辐射透过该透明区域而对该晶棒进行加热，藉此，晶棒表面的损伤层可藉由此一退火制程而加以消除。

【技术实现步骤摘要】
晶棒表面之调质方法及其晶棒一、
一种调质方法，尤指一种针对晶棒表面进行改质的调质设备及其晶棒。二、
技术介绍
晶棒在机械加工的过程中会由于所受到的机械切削力量，进而产生晶棒表面的损伤层，而损伤层对于单晶棒或多晶棒而言属于排列较为混乱而无秩序的部分；同样地，晶圆在钻石轮磨的过程中会由于切削力及热冲击，进而产生晶圆内之残留应力，而残留应力会造成晶圆表面凸起或凹下等现象；这种现象将增加后续加工过程的困难，如在后续加工时会因残留应力过大而造成硅晶圆表面破裂，或因表面凸起或凹下导致加工后平坦度变差。退火是治金材料制程中常见之一种制程技术，其主要目的是消除材料(尤其是金属材料)中因缺陷而累积之内应力。退火使用的方法则是将欲进行退火之材料置于适当高温下一段时间，利用热能使材料内原子有能力进行晶格位置的重排，以降低材料内的缺陷密度，包括晶粒界面、差排及各种点缺陷。一种所熟知的技术称做快速热退火制程(rapidthermalannealing，RTP)，其于加工期间大量地减少了半导体组件暴露在高温下的时间。传统的快速热加工技术可包括以足够的能量照射晶圆，用以快速地升高晶圆的温度并维持在该温度一段足够长本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶棒表面之调质方法，包含以下步骤：提供一晶棒，并以一盖体罩盖该晶棒；利用一加热单元将该晶棒之至少一表面加热至一预定温度并持温一段时间，同时利用一冷却单元针对不需改质的该晶棒的其它表面进行控温；以及进行一冷却步骤，以将该晶棒冷却；其中，该盖体至少具有一部分的透明区域，使该加热单元的热辐射透过该透明区域而对该晶棒进行加热。

【技术特征摘要】
1.一种晶棒表面之调质方法，包含以下步骤:提供一晶棒，并以一盖体罩盖该晶棒；利用一加热单元将该晶棒之至少一表面加热至一预定温度并持温一段时间，同时利用一冷却单元针对不需改质的该晶棒的其它表面进行控温；以及进行一冷却步骤，以将该晶棒冷却；其中，该盖体至少具有一部分的透明区域，使该加热单元的热辐射透过该透明区域而对该晶棒进行加热。2.如权利要求1所述之晶棒表面之调质方法，其中在提供一晶棒的步骤中，系提供一种全透明的罩盖结构罩盖于所述之晶棒，该罩盖结构具有一个顶面及至少一个连接该顶面之侧面。3.如权利要求2所述之晶棒表面之调质方法，其中在提供一晶棒的步骤之后，更包括提供一保护气体输送单元，以注入保护气体于该盖体所界定之腔体中。4.如权利要求3所述之晶棒表面之调质方法，其中在提供一保护气体输送单元之步骤中，该盖体具有一进气口与一出气口，该保护气体输送单元系连接于该进气口与该出气口以注入保护气体于该盖体所界定之腔体中。5.如权利要求2所述之晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炤彰，郑世隆，刘建亿，陈钰麟，黄国维，郑守智，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：