【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
硅单晶体在350-500°C温度区间加热后，N型电阻率下降，P型电阻率升高的现象称为热施主现象。热施主的形成主要与氧的浓度和热处理过程有关。直拉单晶硅由于头部氧含量比尾部高，所以单晶头部易形成热施主。热施主形成的主要危害是硅棒的电阻率失真，甚至在同片硅片表面出现N型反转。目前部分厂家主要是将单晶切成硅片后，用退火炉退火处理，从而达到消除热施主的现象，但退火炉退火存在以下两点缺点:一、退火炉一次退火的硅片数量有限(2000-3000片)，成本高昂；二、用硅片在退火，易导致硅片翘曲、破碎、污染等许多质量问题。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术提出，该方法利用单晶炉作为退火的设备，通过一定的工艺技术将电阻虚高的硅棒直接在单晶炉内退火，达到消除热施主的现象。该方法包括如下步骤:一，将加热器、中保温筒、石墨盖板放置在单晶炉内；二，在石墨盖板上放硅片作垫片；三，将切断好的单晶棒表面用酒精擦拭干净后放在垫片上，放置时将电阻率高 的一端朝下；四，将单晶炉抽到极限真空，再充氩气使炉内压力为1000Pa-2000Pa，保持氩气流量40slpm ;五，启动自动加温程序加温；六，时间到后，停止加温，冷却3.5小时打开单晶炉自然冷却后取出。步骤二中的硅片高度为5_ ;步骤三中的单晶棒长度小于300mm。步骤五中加温程序为:功率为50kw，加温时间为180分钟。该方法的优点:一、每次能处理400-500KG硅棒，相当于20万片以上的数量，是普通硅片退火数量的10倍；二、单晶棒火过程安全，退火后再切片避免硅片的翘曲、破碎、污染等问题，可见该方法与硅片...
【技术保护点】
一种消除太阳能单晶头部热施主导致电阻失真的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：一，将加热器、中保温筒、石墨盖板放置在单晶炉内；二，在石墨盖板上放硅片作垫片；三，将切断好的单晶棒表面用酒精擦拭干净后放在垫片上，放置时将电阻率高的一端朝下；四，将单晶炉抽到极限真空，再充氩气使炉内压力为1000Pa?2000Pa，保持氩气流量40slpm；五，进行加温；六，加温时间到后，停止加温，冷却3.5小时打开单晶炉自然冷却后取出。
【技术特征摘要】
1.一种消除太阳能单晶头部热施主导致电阻失真的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤:一，将加热器、中保温筒、石墨盖板放置在单晶炉内；二，在石墨盖板上放硅片作垫片；三，将切断好的单晶棒表面用酒精擦拭干净后放在垫片上，放置时将电阻率高的一端朝下；四，将单晶炉抽到极限真空，再充氩气使炉内压力为1000Pa-2000Pa，保持氩气流量40s...
【专利技术属性】
技术研发人员：张忠安，张忠华，凌继贝，高岩，
申请(专利权)人：江西豪安能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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