一种半导体硅片的热处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体硅片的热处理工艺，包括如下步骤：（1）将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（2）热处理炉内通入高纯氩气并将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（3）将半导体硅片整齐水平放入石英舟；（4）打开热处理炉，将承载半导体硅片的石英舟快速推入热处理炉640℃～660℃恒温区处理30-45分钟；（5）打开热处理炉，快速将承载半导体硅片的石英舟拉出热处理炉；（6）快速将石英舟连同半导体硅片置于风冷装置处快速风冷至室温。本发明专利技术通过650℃热处理及快速退火越过350~500℃，消除氧施主效应，并抑制热施主效应，同时650℃处理短时间内又不产生新施主效应，因此本发明专利技术公布的热处理工艺方法可以得到直拉单晶硅片真实电阻率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅片的热处理工艺
本专利技术属于半导体硅片制造加工领域，具体涉及一种适用于半导体集成电路及器件衬底直拉单晶硅片的热处理工艺。
技术介绍
直拉硅单晶是将多晶硅放置在高纯石英坩埚中高温熔化，因为高纯坩埚直接与熔硅接触并且处于1450°C以上的高温，高温下Si02会与熔硅反应生长SiO，并部分溶于熔硅中，随着晶体生长进入晶体内部，形成硅中氧。同时，直接硅单晶的生长是从高温熔体中缓慢凝固生长出来，晶体生长的驱动力主要来自于温度梯度形成的过冷度，因此在晶体的生长、冷却过程中需要经过一段热历史。 硅中的氧杂质在低温热处理时，能产生施主效应，使得η型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶体的电阻率上升，施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为η型，这是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在35(T500°C左右范围生成的，称为热施主；一种是在55(T800°C左右温度范围形成的，称为新施主。直接硅单晶在拉制到出炉经历了一段热历史，不可避免的在35(T50(TC形成了热施主，所以在未去除热施主前，η型硅单晶的电阻率低于真实的电阻率。一般认为，450°C是硅中热施主形成的最有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体硅片的热处理工艺，其特征在于包括如下步骤：（1）将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（2）热处理炉内通入高纯氩气并将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（3）将半导体硅片整齐水平放入石英舟；（4）打开热处理炉，将承载半导体硅片的石英舟快速推入热处理炉640℃～660℃恒温区处理30?45分钟；（5）打开热处理炉，快速将承载半导体硅片的石英舟拉出热处理炉；（6）快速将石英舟连同半导体硅片置于风冷装置处快速风冷至室温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙新利，
申请(专利权)人：孙新利，
类型：发明
国别省市：