【技术实现步骤摘要】
一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法
本专利技术属于半导体制造
，特别涉及一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法。
技术介绍
半导体工艺中，常用采用在半导体上打通孔的方式实现电信号的互连或实现高密度的三维集成。在集成电路中，由于铜的电阻较小，铜的电镀工艺方便易行，目前的三维集成主要使用的是铜的电镀。金的电阻较小，一定频率下，金的趋肤深度比铜大，插入损耗小，同时金的稳定性好。因此在微波器件中，经常采用金作为信号传输线。微波器件上的通孔常用于实现信号的接地，然而由于成本的原因，当孔径较大，深度较深时，通常不采用将孔填满的技术。因此，实现通孔的互连是将正面、通孔侧壁及背面互通。现有技术中半导体电镀金的工艺方法，通常是将半导体的单面整片或单面带图形的地方进行电镀，对于双面带通孔的半导体，无法同时对半导体的正面、背面及通孔内部进行电镀。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种能够同时对带通孔的半导体的正面、背面及通孔内部进行均匀电镀的带通孔的半导体硅的三维立体电镀金装置。技术方案：为了达到上述专利技术目的，本专利技术提供一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸、在所述石英缸内装有电镀液，在所述电镀液中放置两块通过导线连接的金板，在所述两块金板的之间固定一块硅片，在所述硅片的正面与反面之间设有通孔，在所述两块金板之间还设有磁力搅拌棒，所述金板与硅片分别与直流电源连接，其中直流电源的阳极与金板连接，直流电源的阴极与硅片连接。本专利技术还提供了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金方法，包括以下步...
【技术保护点】
一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸（1）、在所述石英缸（1）内装有电镀液（2），其特征在于：在电镀液（2）中放置两块通过导线连接的金板（3），在所述两块金板（3）的之间固定硅片（4），在所述硅片（4）的正面与反面之间设有通孔（41），在所述两块金板（3）之间还设有磁力搅拌棒（5），所述金板（3）与硅片（4）分别与直流电源（6）连接，其中直流电源（6）的阳极与金板（3）连接，直流电源（6）的阴极与硅片（4）连接。
【技术特征摘要】
1.一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金方法：其特征在于：包括以下步骤：步骤1：在化学电镀之前，采用溅射的方法在硅片的正、反面及通孔的侧壁上沉积一层金属种子层，金属为金或铜；步骤2：在石英缸中放入电镀液，并将两块金板用导线连接后固定在电镀液中；步骤3：将沉积后的硅片固定在两块金板的之间，将直流电源的阴极与硅片连接，将直流电源的阳极与金板连接；步骤4：将磁力搅拌棒固定在两块金板之间，并将直流电源接通同时打开磁力搅拌棒的电源；步骤5：磁力搅拌棒开始顺...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾世星，姜理利，张龙，朱健，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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