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本发明公开了一种半导体硅片的热处理工艺，包括如下步骤：（1）将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（2）热处理炉内通入高纯氩气并将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（3）将半导体硅片整齐水平放入石英舟；（4）打开热处理炉，将承载半...
该专利属于孙新利所有，仅供学习研究参考，未经过孙新利授权不得商用。

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