【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能用单晶硅加工
，特别是一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺。
技术介绍
氧及碳是柴氏(CZ)长晶法中两种非预期加入的杂质。氧原子来自石英坩埚的分解，以插入型(Interstitial)单一原子存在于硅晶体中。若每个氧原子与邻近两个硅原子键结成SiO2，此键结在电性上而言是钝性的。若每四个氧原子与硅原子键结成SiO4，则此氧硅合物提供η型的导电作用，它们被称为氧授与者(Oxygen Donors) 0这氧授与者可经由插入型氧原子在450°C热处理下产生，其亦可在650°C、30分钟的热处理中消灭。若在 6500C 750°C长时间的加热，则生成SiO2凝核。在750°C 1000°C的高温下，则更易促进氧原子的扩散及生成Si02。热处理可导致次表面下的氧原子扩散到硅晶圆表面而离开晶圆， 此次表面有均勻结构无缺陷，被称为“去裸带”(Denuded hne)，而晶圆内部的氧原子则形成SiO2析出物，析出物附近的应力场变成杂质原子的吸附区，此效应被称为本质杂质吸取作用(Intrinsic Gettering)。去裸带对只运用硅表面层做电传作用的MO...
【技术保护点】
１．一种ＣＺ直拉法太阳能单晶生长工艺，包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程，其特征在于：通过控制拉晶速度及降温速率，在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程，具体操作步骤如下：（１）引晶工艺按照常规的ＣＺ法进行太阳能单晶生长工艺的前期操作，设备升温，待达到液面熔化温度后，进入引晶步骤，引晶工艺过程为：以３－８ｍｍ／ｍｉｎ的拉晶速率向上拉晶，维持细晶直径３－５ｍｍ，待细晶长度１５０－２００ｍｍ，以相对较快的拉晶速度提速，缩小细晶直径１－２ｍｍ维持长度３－５ｍｍ，降低拉速进入放肩步骤；（２）放肩工艺引晶结束时，进入放肩步骤， 此步骤的工艺过程为：放肩降低拉速至０．４－０．８ｍｍ／...
【技术特征摘要】
1. 一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺，包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程，其特征在于通过控制拉晶速度及降温速率，在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程，具体操作步骤如下(1)引晶工艺按照常规的CZ法进行太阳能单晶生长工艺的前期操作，设备升温，待达到液面熔化温度后，进入引晶步骤，引晶工艺过程为以3-8mm/min的拉晶速率向上拉晶，维持细晶直径3_5mm，待细晶长度150_200mm，以相对较快的拉晶速度提速，缩小细晶直径l_2mm维持长度3-5mm，降低拉速进入放肩步骤；(2)放肩工艺引晶结束时，进入放肩步骤，此步骤的工艺过程为放肩降低拉速至0. 4-0. Smm/min，维持一个线性降温速率15°C -25°C /hr,待晶体直径放大至70-130mm，以1. 2...
【专利技术属性】
技术研发人员：马四海，张笑天，丁磊，徐大国，马先松，马青，
申请(专利权)人：马鞍山明鑫光能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：34
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