【技术实现步骤摘要】
本技术涉及酸洗用清泡池，适用于多晶硅原料的酸洗工艺的清泡系统。
技术介绍
在进行CZ直拉法或者浇筑多晶法生产的多晶硅纯度最低要求>5N，因此必须，在进行使用前必须对原料进行酸洗，对多晶硅原料表面受到的沾污，或者其他工艺造成的杂质进行清除避免原料本身的杂质造成晶体生长失败或者品质不良。一般的清洁工艺都是用酸或者碱对原料表面进行处理，清除硅料表面IO-IOOum左右的厚度层后，放入高纯水内进行清泡，稀释酸碱残留物质，然后在纯水内进行高纯水超声波清洁，最后烘干包装。整个清洗过程中，对高纯水的使用量非常大，一般是清洗每It硅料用水量为5t高纯水。本实用新 型即是一种节约高纯水用量的新型清泡池。
技术实现思路
本技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种原料清洗节水清泡池。本技术是通过以下技术方案实现的一种原料清洗节水清泡池，包括有一个水箱，水箱两端分别有进水管口和出水管口，所述的进水管口设在水箱的下部，出水管口设在水箱的上部，所述的水箱内部采用高矮不一的隔板隔开。所述的水箱是防酸橡胶组成的，水箱的形状为长方体。所述的隔板个数为两个，将水箱隔成三个清泡池，分别为清泡池一、...
【技术保护点】
一种原料清洗节水清泡池，包括有一个水箱，水箱两端分别有进水管口和出水管口，其特征在于：所述的进水管口设在水箱的下部，出水管口设在水箱的上部，所述的水箱内部采用高矮不一的隔板隔开。
【技术特征摘要】
1.ー种原料清洗节水清泡池，包括有ー个水箱，水箱两端分别有进水管口和出水管ロ，其特征在干所述的进水管ロ设在水箱的下部，出水管ロ设在水箱的上部，所述的水箱内部采用高矮不一的隔板隔开...
【专利技术属性】
技术研发人员：马四海，张笑天，丁磊，马先松，马青，徐大国，
申请(专利权)人：马鞍山明鑫光能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。