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本发明涉及一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺,包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程,通过控制拉晶速度及降温速率,在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程。本发明方法有效地降低了单晶棒头部SIO4的形成,降低了头部电阻率,提高了单晶品质,适用于目...该专利属于马鞍山明鑫光能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过马鞍山明鑫光能科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺,包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程,通过控制拉晶速度及降温速率,在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程。本发明方法有效地降低了单晶棒头部SIO4的形成,降低了头部电阻率,提高了单晶品质,适用于目...