【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体生长监测技术，涉及单晶炉中的晶体生长过程的监测系统。具体涉及，利用电容信号的变化监测高温氧化物晶体生长的系统和方法。
技术介绍
到目前为止，提拉法、泡生法、助溶剂法等晶体生长过程的反馈监测主要通过两个途径:光学孔观察法和称重法。光学孔观察法是通过构造一个或多个由外炉壳直接通向晶体生长区域的光路，通过人眼或CCD采集炉内的图像信息而反映晶体生长状况的监测方法，该方法在晶体生长过程中起着至关重要的作用。目前，在提拉法、泡生法、助溶剂法等晶体生长过程中，普遍需要光学孔观察来完成下种过程。此外，该方法还可应用在晶体直径的测量上。很多重要的工业应用晶体的ADC (自动直径控制)技术都是依赖于光学孔观察法得到的数据。然而光学孔观察法在高温氧化物晶体(熔点大于1900°C)生长的应用却受到限制。一方面，由于生长过程在高温条件下进行，要求炉体具有较高的隔热条件。一般需要在坩埚周围的各个位置都安置多层的隔热屏。而开辟观察光路需要穿破多层的隔热屏，于是观察孔的安置势必会使得局部的隔热环境发生突变，从而破坏了温场的对称性。为了尽可能降低这样的破坏，一般观察孔的尺寸都...
【技术保护点】
一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，其特征在于，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李红军，陈伟超，唐慧丽，徐军，钱小波，胡克艳，王静雅，汪传勇，吴锋，唐飞，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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