一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法技术
本发明专利技术属于一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。该发明专利技术将所制备的CIG预制层在特定的真空条件下进行快速退火硒化处理，即可得到电池级的、高质量的CIGS吸收层薄膜。
【技术实现步骤摘要】
201610266729
【技术保护点】
一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，其特征在于，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。
【技术特征摘要】
1.一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，其特征在于，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10-4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~2...
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