一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜及其制备方法技术

技术编号:8237792 阅读:241 留言:0更新日期:2013-01-24 17:06
一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜及其制备方法,本发明专利技术涉及一种多铁性薄膜及其制备方法。本发明专利技术是要解决现有的BiFeO3(BFO)基薄膜漏电流较大、铁磁性能较差、与Pt底电极发生反应生成Bi2Pt等合金,从而导致其综合性能下降及现有方法无法制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜的问题。本发明专利技术的一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶制备而成。制备方法:一、制备缓冲层薄膜:二、沉积BFO基薄膜,然后采用快速退火工艺获得结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。本发明专利技术主要用于制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多铁性薄膜及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的进步,对器件小型化的要求越来越高,这就需要开发同时具有两种或两种以上功能的新材料,以研制能够同时实现多种功能的新型器件。近年来,多铁性材料由于同时具备铁电、铁磁等多种铁性,并且由于不同铁性之间的耦合作用而具有磁电效应等新的性能,在器件的集成化和小型化方面具有广阔的应用前景。目前单相多铁性材料天然存在的比较少,BFO是其中可以在室温下同时具备铁电性与铁磁性的多铁性材料。但是在BFO实际应用时出现如下问题,第一,漏电流较大;第二,室温下磁性较弱;第三,在高温热处理过程中,BFO基薄膜容易与Pt底电极发生反应生成Bi2Pt等合金,从而降低了 BFO基薄膜的综合性能;因此现有方法无法制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。
技术实现思路
本专利技术是要解决现有的BiFeO3(BFO)基薄膜漏电流较大、铁磁性能较差、与Pt底电极发生反应生成Bi2Pt等合金,从而导致其综合性能下降及现有方法无法制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜的问题,而提供。本专利技术的一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶在经过清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜,其特征在于结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶在经过清洗的Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上通过旋涂法、热分解法及快速退火工艺法制备而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王春青李彬窦广彬
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:

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