本实用新型专利技术公开了一种纳米级发光二极管，包括基体，所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层；所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上，所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。本实用新型专利技术结构简单、制造方便，能够有效的帮助发光二极管的电流均匀扩散并且能够增加出光效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管，具体涉及一种纳米级发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LED)，将电流注入金属体进行均匀扩散后方能发光。但是随着LED注入电流的均匀扩散，遮光面积也会随之上升；反之如果降低遮光面积，电流则会聚集在电极两端，降低LED效能。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种通过采用物理方法，·能够帮助电流均匀扩散并且能够增加出光效率的纳米级发光二极管。一种纳米级发光二极管，包括基体，所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层；所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上，所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。所述第一纳米层中的纳米级高导电金属线搭配有透明导电层。所述第一纳米层中的纳米级高导电金属线可采用具有可帮助电流均匀扩撒的纳米点代替。所述第二纳米层中的纳米半导体粒子可采用与半导体材料折射率接近的绝缘体代替。所述第一纳米层中的纳米级高导电金属线的金属材料为金或银或铝。所述第一纳米层中的透明导电层为掺锡氧化铟透明导电膜、掺铟氧化锌透明导电膜、掺铝氧化锌透明导电膜。本技术结构简单、制造方便，能够有效的帮助发光二极管的电流均匀扩散并且能够增加出光效率。附图说明图I为本技术的结构示意图。图2为本技术第一纳米层的结构示意图。图3为本技术第二纳米层的结构示意图。具体实施方式实施例I参见图1，本技术提供的一种纳米级发光二极管，包括基体1，所述基体I表面依次层设有第一纳米层2及第二纳米层3，参见图2，所述第一纳米层2由纳米级高导电金属线2a连接构成，在本实施例中，该高导电金属线2a采用纳米金线，将纳米金线环绕在第一纳米层2的层面周围，且同时连接在基体I中部的触点Ia上。该第一纳米层结构的设计目的为帮助电流的均匀扩散，所述高导电金属线2a的金属材料也可使用具有高导电性质的银、铝等。参见图3，所述第二纳米层3，是将若干个纳米半导体粒子3a均匀布置在基体I中部触点Ia周围的第二纳米层3的层面上。该第二纳米层结构的设计目的为增加光的取出效率。实施例2本实施例与实施例I的不同之处在于所述第一纳米层2中的纳米级高导电金属线2a也可搭配透明导电层，提高电流均匀扩散的效果。该透明导电层可为ITO (掺锡氧化铟透明导电膜)、IZO (掺铟氧化锌透明导电膜)、AZO (掺铝氧化锌透明导电膜)等。 实施例3本实施例与实施例1、2的不同之处在于所述第一纳米层2中的纳米级高导电金属线2a也可采用具有可帮助电流均匀扩撒的纳米点代替，但必须搭配透明导电层使电流均匀扩散。实施例4本实施例与实施例I的不同之处在于所述第二纳米层中的纳米半导体粒子3a可采用与半导体材料折射率接近的绝缘体代替，以达到降低电压，增加出光效率的目的。权利要求1.一种纳米级发光二极管，包括基体，其特征在于所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层； 所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上， 所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。2.根据权利要求I所述的一种纳米级发光二极管，其特征在于所述第一纳米层中的纳米级高导电金属线搭配有透明导电层。3.根据权利要求I或2所述的一种纳米级发光二极管，其特征在于所述第一纳米层中的纳米级高导电金属线可采用具有可帮助电流均匀扩撒的纳米点代替。4.根据权利要求I所述的一种纳米级发光二极管，其特征在于所述第二纳米层中的纳米半导体粒子可采用与半导体材料折射率接近的绝缘体代替。5.根据权利要求I所述的一种纳米级发光二极管，其特征在于所述第一纳米层中的纳米级高导电金属线的金属材料为金或银或铝。6.根据权利要求2所述的一种纳米级发光二极管，其特征在于所述第一纳米层中的透明导电层为掺锡氧化铟透明导电膜、掺铟氧化锌透明导电膜、掺铝氧化锌透明导电膜。专利摘要本技术公开了一种纳米级发光二极管，包括基体，所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层；所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上，所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。本技术结构简单、制造方便，能够有效的帮助发光二极管的电流均匀扩散并且能够增加出光效率。文档编号H01L33/40GK202712251SQ201220296028公开日2013年1月30日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日专利技术者洪圣峯 申请人:合肥彩虹蓝光科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纳米级发光二极管，包括基体，其特征在于：所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层；所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上，所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪圣峯，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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