包括辅助气体供应端口的基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种包括辅助气体供应端口的基板处理装置。
技术介绍
常用的选择性外延工艺(selective epitaxy process)伴随沉积反应及蚀刻反应。沉积及蚀刻反应对多晶层以及外延层以相对不同的反应速度同时发生。在沉积工艺中，在至少一个第二层上，在现有的多晶层和/或非晶层沉积的期间，外延层在单晶表面上形成。但是沉积的多晶层一般比外延层以更快的速度蚀刻。因此，通过改变腐蚀气体的浓度，网状选择性工艺(net selective process)可以实现外延材料的沉积、和受限或不受限的多晶材料的沉积。例如，选择性外延工艺可以实现，沉积物不残留在垫片上并在单晶硅表面上形成含硅材料的外延层(epilayer)。选择性外延工艺一般具有几个缺点。在这种外延工艺中，前驱体的化学浓度及反应温度在沉积工艺上进行调节及调整，以保持选择性。若供应不充足的硅前驱体，则使蚀刻反应活化而导致整体工艺迟缓。另外，会对基板表面的蚀刻产生不利影响。若供应不充足的腐蚀液前驱体，则会使沉积反应在整个基板表面上形成单晶及多晶材料的选择性(selectivity)减少。另外，常用的选择性外延工艺一般需要高反应温度如约800℃、约1000℃、或更高的温度。这种高温会使得在基板表面产生不被控制的氮化反应及热移动(thermal budge)，因此在制造工艺中并不优选。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种能够防止供应于内部反应管的反应气体向下部腔室的基板处理装置。本专利技术的另一目的在于能够防止供应于内部反应管的反应气体沉积在下部腔室的基板处理装置。本专利技术的其他目的可以通过下述详细说明和附图进一步明确。解决课题的方法根据本专利技术一实施例，实现对基板的工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中的打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上的所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；内部反应管，其设置于所述外部反应管的内部，并配置在位于所述工艺位置的所述基板支架的周围而划分对所述基板的反应区域；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射反应气体的供应口；以及一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口，其中，所述下部腔室具有辅助气体供应端口，所述辅助气体供应端口与形成在所述下部腔室内部的载置空间连接。所述辅助气体供应端口可以在进行工艺时向所述载置空间内部供应惰性气体。所述载置空间内部的压力可以高于所述工艺空间内部的压力。所述基板支架可以在所述载置位置位于所述载置空间内，并可以在所述工艺位置位于所述工艺空间内。所述基板处理装置可以进一步包括后方排气线，所述后方排气线连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物；所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。所述基板处理装置可以进一步包括第一辅助排气阀，所述基板处理装置进一步包括第一辅助排气阀，所述第一辅助排气阀用于开闭连接于所述辅助排气端口的辅助排气线及所述辅助排气线，其中，所述第一辅助排气阀在进行工艺之前打开所述辅助排气线而排出所述载置空间内部的气体。所述基板处理装置可以进一步包括：第一辅助排气阀，其用于开闭连接于所述辅助排气端口的辅助排气线及所述辅助排气线；前方排气线，其用于连接所述排气端口和所述后方排气线；泵，其设置在所述前方排气线上，并用于对所述前方排气线的内部进行抽气；主排气阀，其设置在所述前方排气线上，并用于开闭前方排气线；第二辅助排气阀，其设置于所述第一辅助排气阀的后方，并用于开闭所述辅助排气线；连接线，其用于连接所述辅助排气线和所述前方排气线，并且其一端连接在所述第一辅助排气阀和第二辅助排气阀之间，其另一端连接于所述泵的前方；以及连接阀，其设置在所述连接线上，并用于开闭所述连接线，其中，在进行工艺之前，所述第一辅助排气阀、所述连接阀、及主排气阀处于打开状态，所述第二辅助排气阀处于关闭状态。所述基板处理装置还可以包括：第一辅助排气阀，其用于开闭连接于所述辅助排气端口的辅助排气线及所述辅助排气线；前方排气线，其用于连接所述排气端口和所述后方排气线；泵，其设置在所述前方排气线上，并用于对所述前方排气线的内部进行抽气；主排气阀，其设置在所述前方排气线上，并用于开闭前方排气线；第二辅助排气阀，其设置于所述第一辅助排气阀的后方，并用于开闭所述辅助排气线；连接线，其用于连接所述辅助排气线和所述前方排气线，并且其一端连接在所述第一辅助排气阀和第二辅助排气阀之间，其另一端连接于所述泵的前方；以及连接阀，其设置在所述连接线上，并用于开闭所述连接线，其中，在进行工艺之前，所述第一及第二辅助排气阀、及主排气阀处于打开状态，所述连接阀处于关闭状态。所述基板处理装置可以进一步包括扩散构件，所述扩散构件设置在所述辅助气体供应端口的喷射口上，其中，所述扩散构件可以具有多个扩散孔，所述多个扩散孔分别与连接于所述辅助气体供应端口的缓冲空间及所述缓冲空间连接。所述扩散孔可以包括具有第一间距的第一扩散孔、和具有大于所述第一间距的第二间距的第二扩散孔，其中，所述第二扩散孔接近所述辅助气体供应端口而配置。专利技术的效果根据本专利技术一实施例，可以有效地处理载置空间及排气空间的排气，尤其可以防止反应气体沉淀在下部腔室内。附图说明图1是示意性示出本专利技术一实施例的半导体制造设备的图。图2是示出根据本专利技术一实施例进行处理的基板的图。图3是示出根据本专利技术一实施例形成外延层的方法的流程图。图4是示意性示出图1所示的外延装置的图。图5是示出图1所示的下部腔室及基板支架的剖视图。图6是示意性示出图5所示的扩散板的立体图。使图7是沿Ⅰ-Ⅰ线构成图6所示的扩散板的剖视图。图8是图6所示的扩散板的背面图。图9是示意性示出图1所示的外部反应管及内部反应管、供应喷嘴及排气喷嘴的剖视图。图10是示出图1所示的供应喷嘴的配置状态和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其实现对基板的工艺，其特征在于，所述基板处理装置包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中的打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上的所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；内部反应管，其设置于所述外部反应管的内部，并配置在位于所述工艺位置的所述基板支架的周围而划分对所述基板的反应区域；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射反应气体的供应口；以及一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口，其中，所述下部腔室具有辅助气体供应端口，所述辅助气体供应端口与形成在所述下部腔室内部的载置空间连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.17 KR 10-2011-01202591.一种基板处理装置，其实现对基板的工艺，其特征在于，
所述基板处理装置包括：
下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；
外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中的打开的上部，并提供
实现所述工艺的工艺空间；
基板支架，其在上下方向载置一个以上的所述基板，且可以转换
到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位
置；
内部反应管，其设置于所述外部反应管的内部，并配置在位于所
述工艺位置的所述基板支架的周围而划分对所述基板的反应区域；
一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具
有用于喷射反应气体的供应口；以及
一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具
有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口，其
中，
所述下部腔室具有辅助气体供应端口，所述辅助气体供应端口与
形成在所述下部腔室内部的载置空间连接。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述辅助气体供应端口在进行工艺时向所述载置空间内部供应惰
性气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载置空间内部的压力高于所述工艺空间内部的压力
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支架在所述载置位置位于所述载置空间内，并在所述工
艺位置位于所述工艺空间内。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置进一步包括后方排气线，所述后方排气线连接
于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体
及所述反应副产物；
所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气

\t端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气
线的辅助排气端口。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置进一步包括第一辅助排气阀，所述第一辅助排
气阀用于开闭连接于所述辅助排气端口的辅助排气线及所述辅助排气
线，其中，
所述第一辅助排气阀在进行工艺之前打开所述辅助排气线而排出
所述载置空间内部的气体。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁日光，诸成泰，宋炳奎，金龙基，金劲勋，申良湜，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR